机译:基极掺杂和载流子寿命对4H-SiC功率双极结型晶体管差分电流增益和温度系数的影响
Department of Electrical Engineering, University of Colorado Denver, CO, USA;
Department of Electrical Engineering, University of Colorado Denver, CO, USA;
bipolar junction transistor; silicon carbide; gain; simulation; modelling;
机译:4H-SiC双极结型晶体管电流增益的温度依赖性
机译:高电流增益4H-SiC NPN功率双极结型晶体管
机译:表面钝化氧化物对4H-SiC双极结型晶体管电流增益的影响
机译:具有改善的电流增益的新型4H-SiC双极结型晶体管(BJT)
机译:演示适用于高频应用的具有高电流和功率密度的4H碳化硅双极结型晶体管。
机译:通过隧穿电流通过互补金属氧化物半导体晶体管的接近零功率温度感测
机译:掺杂和MOCVD条件对锌 - 掺杂InGaAs少数型载体寿命的影响及其在锌和碳掺杂Inp / Ingaas异质结构双极晶体管的应用
机译:4H-siC功率双极结晶体管,具有极低的特定导通电阻2.9 mOmega.cm2