功率碳化硅双极结型晶体管(SiC BJT)的SPICE模型

摘要

适用于集成电路中硅双极结型晶体管((Si BJT)的本征SGP模型,可以较好地描述集成Si BJT的非线性直流特性,开关特性和一些二级效应,但需要对SGP模型的参数以及拓扑结构进行适当的简化修正来描述用作功率开关的碳化硅双极结型晶体管((SiC BJT),同时还需考虑SiC BJT外基区的表面复合效应引起的表面复合电流,并对其进行建模.综合考虑了上述因素,本文提出的SGP1模型可以弥补本征SGP模型模拟SiC BJT的不足.在PSPICE电路仿真软件中,分别用本征SGP模型和SGP1模型进行SiC BJT静态电学特性和开关特性仿真,仿真结果和实验测量结果的对比表明SGP1模型能更准确地描述SiC BJT的电学特性.