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功率MOS、IGBT单粒烧毁、栅穿效应模拟实验研究

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建立了利用<’252>Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置.开展了功率MOS器件、绝缘栅及极晶体管(IGBT)的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单粒子烧毁、栅穿效应的损伤阈值,以及随器件偏置的变化规律.

著录项

来源
《第七届全国固体核径迹会议》|2001年|87-90|共4页
会议地点云南景洪
作者
唐本奇; 王燕萍; 耿斌;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类辐射探测技术和仪器仪表;半导体三极管（晶体管）;
关键词
功率MOS器件; 单粒子烧毁; 单粒子栅穿; 模拟试验; 绝缘栅双极晶体管;
入库时间 2022-08-17 10:21:15

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