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功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟

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建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法 , 对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟,模拟结果与文献中提供的数据相符合,表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的.

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来源
《核电子学与探测技术》 |1999年第6期|422-427|共6页
作者
唐本奇; 王燕萍; 耿斌; 陈晓华; 杨海亮;
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作者单位

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

西北核技术研究所,西安,710024;

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正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
功率MOS器件; 单粒子烧毁; 电路模拟;

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