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严剑荫; 赵丽新; 张仲毅;
中国华晶电子集团公司掩模中心!无锡;
214061;
离子刻蚀技术; 刻蚀速率; 亚微米; 等离子刻蚀; 射频功率; 反应气体; 低温等离子体; 体等离子体; 干法腐蚀; 刻蚀条件;
机译:通过优化的Cl_2 / Ar / N_2化学感应耦合等离子体刻蚀技术,制备InP / InGaAsP / AlGaInAs量子阱异质结构中的亚微米尺寸特征
机译:使用ECR等离子体刻蚀技术制备亚微米Nb / AlOx / Nb Josephson结
机译:通过添加表面活性剂的TMAH溶液和FIB直接绘制掩模的各向异性刻蚀组合来制造弯曲的亚微米Si结构
机译:在光掩模的制造中对Cr薄膜进行等离子刻蚀:II。蚀刻技术比较和缺陷初探
机译:亚微米光刻的高精度掩模
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:用于等离子蚀刻LiNbO3中亚微米级特征的电镀Ni掩模
机译:具有微米和亚微米线宽的硬表面光掩模
机译:具有亚微米电导率网格的具有亚微米孔径的面具的制造方法,具有亚微米电导率网格和亚微米孔径的掩模
机译:确定亚微米技术半导体板表面等离子体化学刻蚀持续时间的方法
机译:具有亚微米级开口的用于制造亚微米级网格的掩模的制造方法以及亚微米级网格
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