射频功率

摘要： 射频电感耦合等离子体(ICP)在实际放电过程中,线圈的构型、电源参数、气压等外部工质条件的变化均会对结果产生较大影响,依靠实验很难得到多外部条件对ICP参数分布的影响机理和规律,因此需要结合仿真和实验的方法进行分析。该文通过建立感性线圈的电磁学有限元模型,分析不同线圈构型下射频电磁场在等离子体内部的空间分布,研究放电参数(线圈构型、功率大小)对等离子体分布影响和E-H模型下放电形态的跳变过程,并观察进入稳定H模式后电源参数的变化规律,为等离子体源的小型化工程应用提供理论基础。实验和仿真计算结果表明:不同线圈匝数在不同功率条件下,电磁场强度变化对等离子功率吸收和功率耦合有较大影响;当工作气压在0~20Pa时,ICP的电子密度呈轴对称分布,随着放电功率、气压的增大,等离子体吸收的功率和电离度也随之增加,其电子密度相应地增大,放电功率的增加会使得环状的等离子体区域随之扩大,在轴向、径向上的分布呈先逐渐增大而后在靠近腔室壁面区域迅速下降。

摘要： 在使用反应离子刻蚀(RIE)工艺制造集成电路中,金属刻蚀后原介质层产生密集黑色颗粒物.采用了隧道扫描电镜(STM)的方法,对样片进行观测分析,结果表明该黑色颗粒为碳化后的胺类副产物.通过对反应过程的分析研究,确定了该问题产生的原因.为了解决该问题,在不改变工艺压力和温度的情况下,调整射频功率来提高反应效率.调整完成后进行了实验验证,结果表明该方法切实有效,颗粒问题得到了明显改善.

摘要： 为了研究LD抽运的Nd:YVO4的声光Q开关的射频功率对衍射效率、漏光功率与门信号开启后激光输出脉冲序列的时间特性的影响,通过调节施加在Q开关上的射频功率,取得了漏光与激光脉冲上升时间随之变化的趋势并加以分析.结果表明,在射频功率增大到4.4 W时,漏光完全消失;在射频功率位于2W～3 W之间时,漏光功率在500mW以下,且激光脉冲上升时间是到达第一阈值所用时间的60％ ～70％;得到了既顾及门信号开启后激光输出脉冲序列的上升时间、又尽可能在Q开关处于hold-off状态时保持低的激光漏光功率的驱动射频信号的功率范围.该研究结果对构建适用于可快速开启的、热效应较为严重的声光调Q固体激光器具有较好的参考价值.

摘要： Wdfspeed推出先进X-波段雷达器件,赋能高性能射频功率解决方案四款新型GaN-on-SiC MMIC器件,助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率。2021年4月14日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯——全球碳化硅技术领先企业科锐Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,Cree丨Wolfspeed于近日推出四款新型多极碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)单片微波集成电路(MMIC)器件,进一步扩展射频(RF)解决方案范围,适用于包括海事、气象监测和新兴的无人机系统雷达等在内的脉冲和连续波X-波段相控阵应用。

摘要： 据SBWIRE预测,GaN功率元件市场将从2017年的四千万美元成长至2023年的1.9亿美元,2017年至2023年的复合年成长率为29%。光电协进会产业分析师林政贤认为,推动GaN功率元件成长的关键因素来自消费电子产品和车用装置的庞大需求。GaN材料的宽能隙特性有助于开发创新应用,并随着在RF功率电子产品的成功,未来还会日益普及至国防、军事与航太领域的射频功率元件应用中。

摘要： 室温下采用射频(RF)磁控溅射在玻璃衬底上制备镓铝共掺杂氧化锌(GAZO)薄膜.采用X射线衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计、四探针测试仪和紫外光电子能谱等表征方法研究射频功率和工作压强与薄膜结构、光学和电学性能之间的关联.结果表明:不同条件下制备的GAZO薄膜均具有六方纤锌矿晶体结构,沿垂直衬底的(002)方向择优取向,在可见光波段(400～700 nm)的平均透射率均高于90％;在射频功率和工作压强分别为200 W和0.20 Pa条件下制备的GAZO薄膜具有最低的电阻率(1.40×10-3Ω·cm)和最高的品质因子(8.10×10-3Ω-1).GAZO薄膜优良的光电性能使其有很大潜力作为透明电极应用于光电器件.

摘要： 射频信号功率是射频微波设备的一项重要指标.结合气象雷达经常位于崇山峻岭或荒郊野外,雷达天线罩内或天线阵下缺少或没有交流电供电的特点,一线维修维护人员提出测量设备要方便携带和使用的需求.针对中国气象局气象雷达广泛采用的P/L/S频段以及相关待测信号特点,设计了一种电池供电的功率测量模块,采用MINI公司射频功率传感器模块ZX47-40+实现射频功率到直流电压的转换,通过采样保持电路将直流电压信号送到处理器STM32L4进行模数转换并显示在LED屏幕上.该模块小巧轻便、测量准确,在实际使用中受到雷达基站和一线维修维护人员的欢迎.

摘要： 在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化p型非晶硅薄膜,研究了不同射频功率对氢化p型非晶硅薄膜性能的影响.利用NKD-7000W光学薄膜分析系统测试薄膜的透射谱,并利用台阶仪测试出薄膜的厚度.结果表明,p型非晶硅薄膜的透过率与射频功率密切相关,p型薄膜的电导率呈现出先增大后减小规律,在射频功率达到150W时,薄膜的电导率达到4.46×10-3S/cm.

摘要： 采用RF-PECVD 技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料.通过调节氢稀释度、电极间距、沉积压力、衬底温度等参数,优化微晶硅薄膜材料.研究射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构的影响.通过X 射线衍射、Raman 光谱、透射光谱等测试与分析,给出了晶化率、光学带隙等随功率的变化,发现射频功率对微晶硅薄膜材料的相结构具有较大影响.

摘要： 本文根据商用二极管和热电耦功率计的工作原理,将射频功率计分为分离式和集成式两种类型,并对这两类功率计校准和测量的过程分别进行了详细分析,列出了影响校准和测量结果的几个主要的误差来源,给出了它们与测量结果的关系.然后利用不确定度传播律,推导出了功率测量结果的不确定度表达式.最后对分离式和集成式的测量准确度进行了比较.

摘要： 氮化硅(SiNx)薄膜材料具有透明、高介电常数等优异性能,常用做薄膜晶体管(Thin-Film-Transistor)栅极绝缘层(Gate-insulator)和保护层(Passivation).栅极绝缘层和保护层膜质对TFT器件的电子传输性能、残像等影响较大,膜质致密能够稳定TFT特性,但是会降低成膜设备稼动能力.本文采用PECVD成膜方式研究了氮化硅成膜主要工艺对成膜速率的影响,通过调整射频功率、成膜压强、电极间距、硅烷(SiH4)流量等制程参数制备不同氮化硅薄膜,并测试其膜厚计算出相对应的成膜速率.通过实验的结果分析了成膜工艺参数对成膜速率的均有不同程度影响,其中射频功率影响最大,为制备合适的氮化硅薄膜提供工艺窗口.

摘要： 功率合成器在射频领域有着广泛的应用，尤其在大功率发射机中功率合成器的重要性更加突出，几千瓦至几十千瓦的射频功率是靠功率合成技术得到的，功率合成技术是大功率发射机的关键技术之一。信息时代的电子对抗异常激烈，利用信号的功率优势进行压制性干扰或反干扰，是电子战的基本手段之一。在此介绍一种射频功率合成器的设计原理和计算方法。

摘要： 利用盘状离子探测器对空心阴极放电等离子体特性进行了研究。结果表明：探测器上电流密度与射频功率、气体流量及空间距离密切相关。探测器中心区域电流密度较高,边缘位置电流密度较低。随射频功率的升高(50W-400W)及空心阴极出口与探测器距离的减小(100mm-10mm),探测器上电流密度逐渐降低。但随着气体流量的增加,电流密度却呈现先增加后降低的趋势。

摘要： 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅薄膜晶化,随着掺B量的增加又使薄膜变为非晶态;射频功率的增加有利于薄膜的晶化和晶粒的生长,但随着射频功率的继续升高,薄膜晶粒密度有所增加,但晶粒尺寸大小有降低的趋势。通过对p型纳米硅薄膜光电性能的研究,对其沉积参数进行优化,可用于单结纳米硅薄膜太阳电池的制备。

摘要： 深空通信与地面通信有着巨大差别,本文从深空通信的特点、难点切入,重点介绍了深空通信新技术中的空间通信平台、高带宽效率数字调制、星间激光链路、低轨道的小卫星通信系统和射频功率动态按需分配技术.

摘要： 以C2H2为碳源,Ar气为辅助气体,利用射频等离子体化学气相沉积的方法在载玻片上成功地制备了类金刚石（DLC)薄膜。通过红外光谱(FTIR)光谱分析了所制备DLC薄膜的结构；利用原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的表面形貌；另外,实验中还利用摩擦磨损仪对薄膜的机械性能进行了研究。实验结果表明,制备的DLC薄膜比较致密,均匀,有较好的耐磨性能。

摘要： 本文给出用于光纤直放站的智能化光传输一体化模块的基本原理,分析其射频功率放大链路产生非线性效应的原因及度量指标,给出实际线性功率放大的设计方法,最后通过实验对线性放大效果予以验证.

摘要： 本发明涉及一种射频RF功率封装和RF功率器件。该RF功率器件包括此RF功率封装。更特别地，本发明涉及一种RF功率封装，其中ESD器件布置在封装主体或壳体内部。根据本发明，ESD器件提供在封装内部并且布置在RF功率封装的端子上。以此方式，能够更好地保护RF功率封装内的放大电路的ESD感测触点免受ESD损坏，即便是在RF功率封装时。

摘要： 本发明公开一种射频功率放大电路，包括输入端，其用于输入信号；功率放大模块，其包括多组并联接入输入端的功率放大子单元，且功率放大子单元的数量根据射频功率放大器的总栅宽进行划分；输出端，其与并联的多组功率放大子单元连接；其中，功率放大模块包括多组偏置电压子单元，每组偏置电压子单元包括偏置电路以及偏置电压输入端，多组偏置电路一一对应的连接多组功率放大子单元，通过多组偏置电压的不同组合，控制对应的功率放大子单元的选通，以调整输出端的输出功率。本发明通过多组偏置电压的不同组合，控制多组并联电路的选通组合，使得射频功率放大器在达到不同输出功率等级的同时保持较高的效率，减少电源功耗，降低成本。

摘要： 本发明实施例公开了一种射频功率放大器及其功率放大方法、射频前端模组，该射频功率放大器包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括驱动功率放大模块、第一阻抗‑相位变换模块、第一功率放大单元和第二功率放大单元，第二芯片包括第二阻抗‑相位变换模块和滤波器。本发明实施例提供的技术方案能够实现对射频信号的功率放大，通过对射频信号进行拆分、相位调整、阻抗匹配与功率合成，能够提高射频功率放大器的线性输出功率。同时，将滤波器与第二阻抗‑相位变换模块集成在同一芯片上，使得射频功率放大器还具备对杂散信号和谐波信号的抑制功能。这种集成滤波器的射频功率放大器，极大减小了占用面积和体积，从而能够有效提高射频前端模组的集成度。

摘要： 本发明公开了一种射频功率放大器和射频功率放大系统，该射频功率放大器射频功率放大器包括第一放大器、第一开关和第一电容；第一放大器的输入节点被配置为接收射频输入信号，第一放大器的输出节点被配置为输出第一射频信号，第一放大器的供电节点被配置为与第一开关的第一端相连，第一开关的第二端与第一供电电源端相连；第一电容的第一端耦合至第一开关的第一端，第一电容的第二端与接地端相连。本技术方案能够减少整个射频功率放大系统的损耗，从而提高射频功率放大系统的整体性能。

摘要： 本公开射频功率管芯和包含所述射频功率管芯的功率放大器模块。实施例公开了具有倒装芯片架构的射频(RF)功率管芯，以及包含此类RF功率管芯的功率放大器模块(PAM)。所述PAM的实施例包括模块基板和RF功率管芯，所述RF功率管芯以倒置朝向安装到所述模块基板的表面。所述RF功率管芯又包括具有前侧和相对的后侧的管芯主体、具有形成在所述管芯主体中的有源区的晶体管，以及形成在管芯主体前侧上方的前侧层系统。所述前侧层系统包含限定第一、第二和第三分支电极结构的图案化金属层，所述第一、第二和第三分支电极结构电耦合到所述晶体管的所述有源区。前侧输入/输出接口形成在所述前侧层系统的外部端部分中并且包含分别电耦合到所述第一、第二和第三分支电极结构的第一、第二和第三键合垫。

摘要： 本发明公开了一种射频功率放大器电路，包括串联连接的驱动级和放大级，还包括一个功率控制电路，所述功率控制电路为所述驱动级提供驱动电源，以控制所述驱动级的输出功率。本发明还公开了一种功率控制芯片，所述功率控制芯片中包括上述射频功率放大器电路。本发明还公开了一种射频功率放大方法，在输入信号与输出信号之间依次串联驱动级和放大级，采用一个功率控制电路，为射频功率放大器电路中的驱动级提供驱动电源，从而控制所述驱动级的输出功率。本发明使得功率控制电路只对驱动级的输出功率进行控制，从而简化射频功率放大器的结构，并且减小了功率控制芯片的面积，提高了器件的集成度，降低了生产成本。

摘要： 本发明公开一种射频功率放大电路，包括输入端，其用于输入信号；功率放大模块，其包括多组并联接入输入端的功率放大子单元，且功率放大子单元的数量根据射频功率放大器的总栅宽进行划分；输出端，其与并联的多组功率放大子单元连接；其中，功率放大模块包括多组偏置电压子单元，每组偏置电压子单元包括偏置电路以及偏置电压输入端，多组偏置电路一一对应的连接多组功率放大子单元，通过多组偏置电压的不同组合，控制对应的功率放大子单元的选通，以调整输出端的输出功率。本发明通过多组偏置电压的不同组合，控制多组并联电路的选通组合，使得射频功率放大器在达到不同输出功率等级的同时保持较高的效率，减少电源功耗，降低成本。

摘要： 本发明公开了一种射频功率放大器和射频功率放大系统，该射频功率放大器射频功率放大器包括第一放大器、第一开关和第一电容；第一放大器的输入节点被配置为接收射频输入信号，第一放大器的输出节点被配置为输出第一射频信号，第一放大器的供电节点被配置为与第一开关的第一端相连，第一开关的第二端与第一供电电源端相连；第一电容的第一端耦合至第一开关的第一端，第一电容的第二端与接地端相连。本技术方案能够减少整个射频功率放大系统的损耗，从而提高射频功率放大系统的整体性能。

摘要： 本发明实施例公开了一种射频功率放大器及其功率放大方法、射频前端模组，该射频功率放大器包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括驱动功率放大模块、第一阻抗‑相位变换模块、第一功率放大单元和第二功率放大单元，第二芯片包括第二阻抗‑相位变换模块和滤波器。本发明实施例提供的技术方案能够实现对射频信号的功率放大，通过对射频信号进行拆分、相位调整、阻抗匹配与功率合成，能够提高射频功率放大器的线性输出功率。同时，将滤波器与第二阻抗‑相位变换模块集成在同一芯片上，使得射频功率放大器还具备对杂散信号和谐波信号的抑制功能。这种集成滤波器的射频功率放大器，极大减小了占用面积和体积，从而能够有效提高射频前端模组的集成度。

摘要： 本实用新型实施例公开了一种多路功率合成的射频功率放大器及射频前端架构，所述射频功率放大器包括依次连接的第一级变压器匹配网络、第一级双路放大电路、第二级变压器匹配网络、第二级四路放大电路、第三级变压器匹配网络、第三级八路放大电路以及输出变压器匹配网络；通过各级变压器匹配网络，可以实现对单端的射频输入信号RFin依次转换为两路差分信号、四路差分信号、八路差分信号，然后再将八路差分信号合成为一路射频输出信号RFout进行输出，由此，通过上述方式可以有效的缩小了版图面积，同时对增益和输出回波损耗的优化的效果有显著提升，且可获得较高的输出功率。