应用侧壁及去除技术制做亚微米掩模窗口的方法

摘要

一种用于在基底中制做窗口的方法，利用反应离子刻蚀技术，在基底上形成台面。在整个结构上淀积一膜层，并且将台面有选择地刻蚀掉，以在膜层中形成亚微米尺寸的窗口。用膜层作掩模，被掩模所露出的基底被反应离子蚀刻。给出了制做多晶硅基区双极性晶体管的发射区掩模的例子。