对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜电学性能的研究

摘要

使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及XRD、SEM测试分析,详细研究了沉积时的基片温度对膜的电学性能的影响。结果表明:基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度,在基片温度为200℃附近沉积的膜具有较低的电阻率和较高的透光率。