机译:ALD ZnO种子层在硅衬底上沉积ZnO纳米结构的研究。
要解决的问题:提供不使用金属催化剂即可形成ZnO纳米结构的技术。
解决方案:提供了通过在基板表面上形成多晶氧化锌种子层来生长氧化锌纳米结构而不使用金属催化剂的技术。可以通过原子层沉积(ALD)方法(102)形成种子层。在晶种层(103)上诱导了多晶氧化锌的至少一种纳米结构的生长。作为替代方法,可以通过有机金属沉积法,喷雾热解法,RF溅射法或旋涂法(例如,种子层的氧化)来形成种子层。
版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006124834A
专利类型
公开/公告日2006-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 SHARP CORP;
申请/专利号JP20050305059
申请日2005-10-19
分类号C23C16/40;B82B1/00;B82B3/00;H01L29/06;C01G9/02;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:55:49