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ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate

机译:用于在硅衬底上沉积ZnO纳米结构的ALD ZnO种子层

摘要

Zinc-oxide nanostructures are grown without using a metal catalyst by forming a seed layer of polycrystalline zinc oxide on a surface of a substrate. The seed layer can be formed by an atomic layer deposition technique. Growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced on the seed layer. The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique, such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolisis technique, an RF sputtering technique or by oxidation of the seed layer.
机译:通过在衬底的表面上形成多晶氧化锌的籽晶层来在不使用金属催化剂的情况下生长氧化锌纳米结构。种子层可以通过原子层沉积技术形成。在种子层上诱导至少一种氧化锌纳米结构的生长。可替代地,可以通过使用旋涂技术(例如金属有机沉积技术,喷雾热解技术,RF溅射技术)或通过种子层的氧化来形成种子层。

著录项

  • 公开/公告号US2006091499A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LISA H. STECKER;JOHN F. CONLEY;

    申请/专利号US20040976594

  • 发明设计人 LISA H. STECKER;JOHN F. CONLEY;

    申请日2004-10-29

  • 分类号H01L21/20;H01L29/22;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:46:04

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