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SELECTIVE GROWTH OF ZnO NANOSTRUCTURE USING PATTERNED ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) ZnO SEED LAYER

机译:图案化原子层沉积(ALD)ZnO种子层对ZnO纳米结构的选择性生长

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for growing a ZnO nanostructure without using a metal catalyst.;SOLUTION: A patterned zinc oxide nanostructure is grown without using a metal catalyst by forming a seed layer of a polycrystalline zinc oxide on the surface of a substrate. The seed layer can be formed by an atomic layer deposition technique. The seed layer is patterned, such as by etching, and the growth of at least one zinc-oxide nanostructure is induced substantially over the patterned seed layer by, for example, exposing the patterned seed layer to zinc vapor in the presence of a trace amount of oxygen. The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate.;COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种不使用金属催化剂生长ZnO纳米结构的方法。解决方案:通过在金属表面上形成多晶氧化锌的籽晶层,在不使用金属催化剂的情况下生长图案化的氧化锌纳米结构。基质。种子层可以通过原子层沉积技术形成。诸如通过蚀刻来图案化种子层,并且例如通过在痕量存在下将图案化的种子层暴露于锌蒸气中,从而在图案化的种子层上基本上诱导至少一种氧化锌纳米结构的生长。氧气。可以通过使用旋涂技术(例如金属有机沉积技术,喷雾热解技术,RF溅射技术)或通过氧化形成在基板上的锌薄膜层来形成种子层。 :(C)2006,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2006130647A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHARP CORP;

    申请/专利号JP20050299449

  • 发明设计人 CONLEY JOHN F JR;STECKER LISA H;

    申请日2005-10-13

  • 分类号B82B3/00;B82B1/00;C01G9/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:54:59

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