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A method of forming a ZnO film using the manufacturing method and the ZnO deposition material of the ZnO deposition material

机译:使用该制造方法和该ZnO沉积材料的ZnO沉积材料形成ZnO膜的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ZnO vapor deposition material that can prevent splash from occurring when a ZnO film is formed.;SOLUTION: The ZnO vapor deposition material is formed of a porous sintered compact of a metal oxide. The sintered compact has a porosity of 0.2% or more but less than 3.0%, thereby significantly reducing an amount of gas remaining therein. The sintered compact has an average air hole diameter of 0.1-300 μm to cause an increase in vapor rate, thus reducing manufacturing cost. The ZnO film is formed by using the ZnO vapor deposition material.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种ZnO气相沉积材料,该材料可防止在形成ZnO膜时发生飞溅。;解决方案:该ZnO气相沉积材料由金属氧化物的多孔烧结体形成。烧结体的孔隙率为0.2%以上但小于3.0%,从而显着减少了残留在其中的气体量。烧结体的平均气孔直径为0.1-300μm,从而导致蒸气速率的增加,从而降低了制造成本。通过使用ZnO气相沉积材料形成ZnO膜。;版权所有(C)2013,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5532102B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱マテリアル株式会社;

    申请/专利号JP20120225579

  • 发明设计人 黛 良享;

    申请日2012-10-11

  • 分类号C23C14/24;C23C14/08;C04B35/453;H01B13/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:14:56

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