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王建峰; 张纪才; 张宝顺; 伍墨; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾;
中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室;
北京100083;
武汉大学物理系;
武汉430072;
GaN; AlN; Si衬底;
机译:Si(111)衬底上高温AlN缓冲层和Al的预掺杂与GaN的结构和光学性质的关系
机译:高温AlGaN缓冲层厚度对在Si(111)衬底上生长的GaN外延层的影响
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:60-nm厚的AlN缓冲层在n-ZnO / AlN / p-Si中的功能(111)
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:制备具有SI衬底的ALN基模板和具有SI衬底的GAN基外延结构的方法
机译:倒装芯片GaN LED器件,包括硅衬底,部分覆盖AlN缓冲层。
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