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王建峰; 张纪才; 张宝顺; 伍墨; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾;
中国电子学会;
GaN; Si衬底; 结构特性; X射线衍射; AlN缓冲层; 缓冲层厚度; 外延层;
机译:AlN缓冲层厚度对AlGaN夹层在Si(111)衬底上生长的GaN外延层结构性能的影响
机译:AlN高温缓冲层厚度对Si(111)上生长的GaN性能的影响
机译:Si(111)衬底上高温AlN缓冲层和Al的预掺杂与GaN的结构和光学性质的关系
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上的AlN纳米壁结构
机译:使用中温/高温双层AlN缓冲液提高Si(111)衬底上GaN的质量
机译:alN涂层siC衬底上alN单晶的升华生长。阶段1
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Al x Sub> Ga y Sub> In lx-y Sub> N衬底,Al x Sub> Ga 的清洗方法y Sub> In lx-y Sub> N衬底,AlN衬底以及AlN衬底的清洗方法
机译:具有膨胀匹配SiC,AlN和/或AlxGa1-xN(x> 0.69)电路器件的高温电路结构
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