全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究

摘要

利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应.在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律.在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显.此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使品格升温迅速.