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机译:使用纳米级栅凹槽工艺的全耗尽SOI MOSFET的异常DIBL效应
机译:沟道厚度对栅嵌入式纳米SOI MOSFET的电特性和串联电阻影响的建模
机译:低温下低尺寸栅凹槽全耗尽SOI MOSFET的异常扭结效应
机译:串联质量电阻对栅极嵌入式纳米SOI MOSFET电容和电导特性的影响
机译:本征沟道完全耗尽的SOI MOSFET的DIBL抑制和电流启动电压可变性
机译:完全耗尽的Δ沟道SOI NMOSFET的实现
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响