机译:沟道厚度对栅嵌入式纳米SOI MOSFET的电特性和串联电阻影响的建模
机译:串联质量电阻对栅极嵌入式纳米SOI MOSFET电容和电导特性的影响
机译:具有未掺杂或极低掺杂沟道区的纳米级超薄SOI MOSFET的源/漏串联电阻
机译:基于Y函数的纳米SOI MOSFET大规模串联电阻方法的应用,建模和局限性
机译:沟道厚度对带有金属源极-漏极的纳米级双栅SOI MOSFET电气特性的影响
机译:具有增强的电气特性的功率MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响
机译:晶界对sOI(绝缘体上硅)mOsFET电性能影响的理论实验分析。