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任春江; 王泉慧; 刘海琪; 王雯; 李忠辉; 孔月婵; 蒋浩; 钟世昌; 陈堂胜; 张斌;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京210016;
I线步进光刻; 铝镓氮/氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 场板; 难熔栅;
机译:KU波段分布式SPDT开关在0.5 mu M AlGaN / GaN Hemt技术中
机译:形成超高电阻AU / TI / P-GAN连接及Algan / GaN Hemts的应用
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:嵌入式Mg掺杂的P型In0.2Ga0.8N帽栅AlGaN / GaN / AlGaN DH-HEMT,适用于高击穿和功率电子应用
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:超高电阻AU / TI / P-GAN连接的形成以及AlGaN / GaN Hemts的应用
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
机译:形成栅极电极的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT的方法
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