机译:形成超高电阻AU / TI / P-GAN连接及Algan / GaN Hemts的应用
机译:具有P-GaN栅极和电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的新型高击穿电压和高开速GaN HEMT
机译:增强模式的建模与仿真P-GaN门Algan / GaN HEMT用于RF电路开关应用
机译:缓冲结构对功率开关应用中常关型p-GaN / AlGaN / GaN HEMT的俘获特性的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌