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YUNBO Wang; 王云波; WU Tang; 唐武; DONGWANG Jia; 贾东旺;
四川省电子学会半导体与集成技术专委会;
高电子迁移率晶体管; 氮化镓; 氮化镓铝; 仿真模拟;
机译:具有AlGaN / GaN / AlGaN / GaN四层结构的III型氮化物肖特基整流器及其在紫外检测中的应用
机译:通过金属有机化学气相沉积法表征具有选择性再生长n-AlGaN的AlGaN / GaN p-n二极管及其在GaN基双极晶体管中的应用
机译:AlN和GaN脉冲比在热原子层沉积AlGaN上的影响AlGaN in AlGaN / GaN肖特基二极管电学性能
机译:单(AlGaN / GaN)和双(AlGaN / GaN / AlGaN)异质增强模式Hemts的研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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