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庄晟逸1; 张竹霞1; 黄慧1; 王剑1; 韩培德1;
[1]太原理工大学,教育部新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西 太原;
三氧化二铬; 密度泛函理论; 结合能; 电子特性; 掺杂;
机译:通过控制原子结构,Cr浓度和载流子密度实现Cr掺杂Si中的室温铁磁性:第一性原理研究
机译:锂离子电池正极材料中Na,Mg和Al掺杂的LiVPO4F的稳定性,电子特性,缺陷特性和Li离子迁移的见解:第一性原理研究
机译:空位和非金属原子掺杂的屈曲砷的稳定性,电子结构和磁性能:第一性原理研究
机译:La掺杂Sr1.9375La0.0625TiO3.96875的结构稳定性和电子结构的第一性原理研究
机译:铅偏析到铝晶界及其对热稳定性和机械性能的影响的原子和第一性原理研究。
机译:二维HfS2的非线性弹性行为和各向异性电子特性的第一性原理研究
机译:嵌入过渡金属原子的氮掺杂石墨烯的结构稳定性和O2离解:第一性原理研究
机译:相稳定性的第一性原理研究以及氢 - 金属体系的结构和动力学性质。总结报告
机译:用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译:原子层沉积法用卤化物元素部分掺杂氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制造卤素掺杂源的方法,使用卤化物掺杂源部分掺杂氧化物的薄膜和原子层沉积膜的方法掺杂有方法
机译:卤素掺杂源,其在原子层沉积中可以用卤素掺杂氧化物膜的一部分,通过制造掺杂源的卤素方法,并通过利用卤素源原子层沉积卤素掺杂的氧化物膜部分,氧化物薄膜用掺杂卤素的方法和工艺形成
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