电子特性

摘要： 利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法,系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应.计算表明:本征纳米带为金属,但边缘的氢或氧原子端接能使其转变为半导体.应变能有效地调控纳米带带隙的大小,适当的应变使能带结构从间接带隙转变为较小的直接带隙,这有利于光的吸收.应变也能改变纳米带的功函数,压缩应变能明显减小功函数,这有利于纳米带实现场发射功能.特别是应变能有效地调控纳米带相关器件的I-V特性,能使其开关比(I_(on)/I_(off))达到10^(6),据此,可设计一个机械开关,通过拉伸及压缩纳米带使其可逆地工作在“开”和“关”态之间.这种高开关比器件也许对于制备柔性可穿戴电子设备具有重要意义.

摘要： 随着硼团簇研究的深入,过渡金属原子掺杂B_(20)^(-)团簇的研究得到广泛关注。基于卡里普索结构预测方法和密度泛函理论(PBE0/6-311+G(d)),作者研究了CrB_(20)^(-)团簇的几何结构和电子特性。优化得到了B_(20)^(-)和CrB_(20)^(-)团簇的基态结构,分析了CrB_(20)^(-)团簇的电荷转移、分子轨道、态密度、光电子能谱、红外和拉曼光谱等电子特性。

摘要： 基于新合成的二维材料MoSi_(2)N_(4)(MSN),我们建立了一系列MSN的掺杂模型进行了第一原理计算。首先,我们计算了本征MSN的电子特性,包括其能带结构和态密度。然后我们研究了Cr、Sn和Co掺杂对MSN的电子和光学性质的影响。结果表明,在3种掺杂体系中,Co掺杂体系表现出最低的形成能,这表明Co掺杂体系是最稳定的。通过带隙计算表明,尽管3种掺杂模型都降低了MSN的固有带隙,但却表现出3种不同的电子特性。态密度图也显示,Cr和Co掺杂体系都在导带底(CBM)和价带顶(VBM)附近产生局部尖峰。此外,光学性质的计算中表明,掺杂后体系的光学性质也得到了改善。

摘要： 采用基于第一性原理的广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了p型透明导电氧化物2H-CuAl_(2)在不同浓度Mg和Ca掺杂下的晶体结构以及电子特性。结果表明,Mg和Ca掺杂2H-CuAl_(2)的晶胞参数a随着掺杂浓度的升高都逐渐增大,c都逐渐减小;并且相同掺杂浓度下,Ca掺杂对晶胞参数a和c的作用大于Mg。Mg和Ca掺杂后,2H-CuAl_(2)依然具有间接带隙,带隙值随掺杂浓度增大而增大,相同掺杂浓度下,Mg掺杂2H-CuAl_(2)的带隙值大于Ca。Mg和Ca掺杂后2H-CuAl_(2)的总态密度出现增加,随着掺杂浓度增大总态密度逐渐降低,掺杂对2H-CuAl_(2)费米能级附近的导带和价带影响不大。

摘要： 本文通过第一性原理计算预测了P6_(2)22空间群中的两种新型第14族元素合金Si_(2)Ge和SiGe_(2),系统研究了这两种合金的结构、稳定性、弹性各向异性、以及电子和热力学特性.P6_(2)22-Si_(2) Ge和P6_(2)22-SiGe_(2)具有六角对称结构,其声子谱和弹性常数表明这两种合金在常态环境压力下具有动力学和机械稳定性.P6_(2)22-Si_(2)Ge和P6_(2)22-SiGe_(2)的弹性各向异性通过杨氏模量的表面结构、剪切模量的等高面和泊松比的方向依赖性进行了详细的研究,同时也讨论和比较了与第14族元素同素异形体P6_(2)22-Si_(3)和P6_(2)22-Ge_(3)的相关差异.此外,通过对德拜温度和声速的测算,研究了P6_(2)22-Si_(2)Ge和P6_(2)22-SiGe_(2)的热力学特性.

摘要： 基于卡里普索结构预测程序,在密度泛函理论PBE0/6-311+G(d)水平下对MB_(18)^(-)(M=V,Cr,Mn,Fe)团簇的几何结构、电子及热力学特性进行了系统研究.结构优化发现,MB_(18)^(-)(M=V,Cr和Mn)的基态为顶端带有B_(2)单元的管型结构(C_(2)v,C_(s)和C_(s)点群对称),FeB_(18)^(-)的基态呈现鼓型结构(C_(2)点群对称).在此结构基础上,分析了体系的电荷转移、磁性和键级等电子特性.此外,拟合出了体系的光电子能谱、红外和拉曼光谱,并对主要特征峰进行了归属分析.最后,分析了体系的热力学特性,讨论了温度对热力学参数的影响.

摘要： 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了掺杂铁、钴和镍原子的锯齿型磷烯纳米带(ZPNR)的磁电子学特性.研究表明,掺杂和未掺杂ZPNR的结构都是稳定的.当处于非磁态时,未掺杂和掺杂钴原子的ZPNR为半导体,而掺杂铁或者镍原子的ZPNR为金属.自旋极化计算表明,未掺杂和掺杂钴原子的ZPNR无磁性,而掺杂铁或者镍原子的ZPNR有磁性,但只能表现出铁磁性.处于铁磁态时,掺杂铁原子的ZPNR为磁性半导体,而掺杂镍原子的ZPNR为磁性半金属.掺杂铁或者镍原子的ZPNR的磁性主要由杂质原子贡献,产生磁性的原因则是在ZPNR中存在未配对电子.掺杂位置对ZPNR的磁电子学特性有一定的影响.该研究对于发展基于磷烯纳米带的纳米电子器件具有重要意义.

摘要： 用第一性原理计算研究了掺氢Ti_(3)SiC_(2)/Zr异质结的几何结构、能垒和电子性质。由于半径小,氢原子以间隙杂质的形式处在Ti_(3)SiC_(2)/Zr晶格中。通过计算和分析掺氢Ti_(3)SiC_(2)/Zr异质结的总能量,发现当氢原子从异质界面扩散到Ti3SiC2中时遇到的势垒(1.75eV)比扩散到Zr金属中的势垒(0.25eV)高。且计算了氢原子从真空扩散到Ti3SiC2和Zr金属中所遇到的势垒(都是正值)。这些研究结果表明,Ti3SiC2可以作为防止锆金属氢脆和氢腐蚀的涂层材料。另外,还从能带结构和电子态密度等方面分析了掺氢Ti3SiC2的电子性质和价键性质。这些研究结果可能为氢在Ti_(3)SiC_(2)/Zr异质结中的扩散机制提供新的见解。

摘要： 基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算,研究了Au-Ag合金纳米管同轴填充不同线径锯齿型(n,0)碳纳米管所形成复合系统的稳定性、电子特性和力学性能.结果表明,内、外管间距约为4.20? 的Aux Ag4-x@(15,0)复合系统为具有较大填充率的最稳定结构.能带结构分析表明,相对于自由Au-Ag合金纳米管复合系统的量子电导有所增加,电子态密度分析表明复合系统中的传导电子主要来源于内部Au原子和Ag原子的s电子以及外部C原子的p电子.相对于自由金属纳米管而言,碳纳米管的包裹使得金属纳米管的轴向拉伸临界应变和理想强度大大增加,有效地提高了其力学性能.

摘要： 本文计算了Heusler合金Li_(2)AlGa和Li_(2)AlIn的晶格参数、体积模量、体积模量的一阶导数、电子能带结构、声子色散曲线和声子态密度,并与密度泛函理论中的广义梯度近似计算结果进行比较.计算的晶格参数与文献有很好的一致性.两个Heusler合金的电子能带结构表明它们是半金属结构.并利用声子色散曲线和声子密度图研究Heusler合金晶格动力学.Li_(2)AlGa和Li_(2)AlIn Heusler合金在基态呈现动力学稳定.

摘要： 作为一种新型的有机无机杂化的光吸收材料,CH3NH3PbI3可以极大地提升太阳能电池的光电转化效率.本文通过局域、半局域和非局域的相互关系近似的第一性原理理论计算来寻找模拟这种新型钙钛矿材料的方法.结果显示,通过非局域的optB86b+vdWDF泛函,成功地与实验结果相匹配.因此,考虑弱范德华作用对准确描述这种有机无机杂化材料的特性是至关重要的.进一步的电子特性分析揭示Ⅰ5p轨道的电子可以被激发到Pb 6p空轨道.有机阳离子和无机骨架的主要作用是通过Ⅰ和CH3之间的离子键.此外,因为不同的化学环境的存在,发现在Pb-Ⅰ骨架中的Ⅰ原子是不等价的.

摘要： 为了揭示负电晕放电过程的电子特性,本文对棒-板间距3.3mm、施加电压-5.0kV、大气压强1.0atm和环境温度300K时的空气(N2∶O2=4∶1)负电晕放电微观过程进行数值计算,该过程主要通过求解改进的电子连续性方程、电子平均能量输运方程、重粒子多组分输运方程和泊松方程实现,计算结果表明单次脉冲的波形特性和文献符合较好.文中选取单次脉冲持续周期内的6个典型时间点对负电晕放电过程中的电子特性(电子平均能量分布、电子密度分布、电子的产生和消散特性)进行详细描述.

摘要： 本文采用第一性原理计算方法，研究了zigzag型石墨烯纳米带边缘采用不同基团(包括氢原子、羟基、酮基、氢和羟基共同饱和)进行修饰后电子特性的改变，计算了能带结构、态密度和电荷差分密度。结果分析表明，不同基团修饰的影响本质上可归结于不同的边缘杂化方式。边缘sp2杂化方式对GNRs体系内层原子的电子状态影响很小，没有改变zigzag-GNRs的金属性；而边缘sp3杂化的体系在能带结构中打开了一个带隙，此带隙随纳米带宽度的增加而逐渐减小。其中GNRs-H2体系和GNRs-H2O体系发生了由金属性向半导体性的转变，而GNRs-O体系费米能级升高并且进入了导带，依然呈现金属性。利用这种边缘修饰非常易于调控GNRs的电子能带结构。

摘要： 新型和功能化的大环主体分子在超分子化学研究和应用中具有举足轻重的地位.在过去十几年建立和发展杂杯芳烃(heteracalixaromatics)或杂原子桥连杯(杂)芳烃(heteroatom bridged calix(het)arenes)大环与超分子化学的基础上,近年来设计了一类新颖的冠芳烃大环分子(coronarenes).冠芳烃分子具有下列显著特点：（1）分子多样性和大环构象结构多样性丰富；（2）具有桶状或柱状空腔；（3）大环形状和分子空腔尺寸可变；（4）大环空腔的电子特性（缺电子或富电子性质）及分子识别性质受芳（杂）环和杂原子相互作用调控。本文将报告我们在冠芳烃大环与超分子化学研究方面的最新进展。

摘要： 天然石墨烯呈无色透明微晶片状,长约2-3微米,宽约1微米,厚0.1微米,与食品塑料薄膜厚相当,但其却可承受约两吨的压力而不断裂.机械性能优异:弹性极限118-121GPa,弹性模量1000GPa,延伸率＞10％;电子特性很强,高电子迁移率:250000cm2/vS,电子运动速度:光速1/300,超强导电性(量子隧道效应).由于石墨烯超薄而且强度超高的特性,故可广泛应用于多种领域,如超灵敏传感器、石墨烯聚合物充电电池、高纯净人造金刚石等.

摘要： 理论计算已逐渐成为从原子尺度上研究Si/SiO2界面特性的必要手段,选择合适的Si/SiO2界面原子结构模型是准确计算Si/SiO2界面特性的前提.本文梳理比较了Si/SiO2界面特性研究方面目前主要的实验研究结果及其理论计算结果,介绍了Si/SiO2界面原子结构模型及其特点.并从Si衬底晶向、过渡区的组成与厚度以及电子特性方面,分析了这些模型的优缺点及其适用性.认为以亚氧化态Si作为过渡层的模型能更好的解释实验数据并适用于界面结构特性和电子特性等的仿真计算.本研究对改进Si/SiO2原子结构模型、研究界面缺陷,以及在原子尺度上分析界面缺陷对器件特性影响有着重要的意义.

摘要： 采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法计算获得了TiC(001)-Fe(001)的最低能量构型，研究了界面的态密度、电荷密度分布、成键及粘附等特性。结果表明：不同界面层模型(A,B，C)，均存在一个最佳的晶体结构参数(2．8700、2．9402和2．9800 nm)。费米能级以下形成了C的p轨道与Fe和Ti的d成键轨道，界面C-Fe电荷重叠密度较大，Fe-c键布居数为0．15，为离子键性共价键。界面粘附功随着TiC层数的增加而减小，润湿性降低，1层TiC(001)-3层Fe(001)界面粘附功最大，为3．325 J/m2。

摘要： 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，计算了可作为锂离子电池正极材料LixMnPO4(x=0，0.5,1)的晶体结构与电子特性。研究表明，从LiMnPO4到MnPO4晶体体积发生了显著的变化，这一变化主要是由MnPO4中的Mn3-离子的Jahn-Teller效应引起的。Jahn-Teller效应对Li0.5MnPO4也生了重要的影响。当Mn离子从二价变到三价的时候，其失去的电子占据轨道为d(x2-y2)。计算结果显示，Li0.5MnPO4的带隙小于LiMnPO4与MnPO4的带隙。

摘要： 催化是借助于催化剂对化学反应进行调控的化学过程。在国民经济的诸多方面，尤其是能源转化和环境治理，如石油炼制、合成化肥和汽车尾气处理等方面，催化正发挥着越来越大的作用。本文围绕“限域”体系电子特性对催化剂的影响，通过对金属催化剂的界面限域、孔道材料的“孔道限域”，以及碳纳米管的“协同限域效应”的研究，利用不同材料、不同手段和不同的方法，实现在分子与原子层面上对催化特性的“自由”调控。从实验上和理论上探索通过体系尺寸变化调控催化特性的方法和概念，提出基于限域效应的催化“尺度调控法”的原理。

摘要： 本文介绍了HL-2A装置简况、诊断研制的进展、约束和输运研究进展、高能量粒子和磁流体研究进展、边缘湍流与杂质研究进展和加热和电流驱动研究进展。

摘要： 提供能够抑制电子部件贴在收纳构件上的情况的电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。收纳构件(12)具有：绝缘部，其由绝缘性材料形成，形成有多个开口和分别与开口连通的多个腔室；以及导电部，其由导电性材料形成，并与绝缘部接合在一起。导电部以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置于接触区域(12t)、相对区域以及内部区域中的至少一者，接触区域(12t)是收纳构件(12)的第1主面(12s)中的与自电子部件供给机构(14)供给来的电子部件(18)接触的区域，相对区域是收纳构件(12)的第2主面(12r)中的与接触区域(12t)相对的区域，内部区域夹在接触区域(12t)与相对区域之间。驱动机构(16)使收纳构件(12)相对于电子部件供给机构(14)相对移动。

摘要： 提供一种多电子源的特性调整方法及特性调整装置，以简易的工序使多电子源的电子发射特性及调整时间基本相同。上述特性调整方法包括：设定特性调整目标值的工序；对每个特性移动电压值制作特性调整表的工序；对每个电子发射元件，使特性移动到特性调整目标值的移动工序；以及监视上述电子发射特性的变化，再设定特性移动条件的工序。

摘要： 本发明提供校正了由基准温度和测定温度的差异引起的测定误差的电子元件的电气特性测定方法。分别对温度区域(3S、3T)进行温度控制，并且通过第1温度传感器(6)、第2温度传感器(8)、第3温度传感器(9)测定温度，算出测定电气特性时被测定电子元件装置X的测定时推定温度，使用该测定时推定温度，校正由基准温度和测定温度的差异引起的测定误差。校正后的电气特性在规定的范围内时，判断被测定电子元件装置(X)为合格品。

摘要： 提供能够抑制电子部件贴在收纳构件上的情况的电子部件的特性测定用的输送装置以及电子部件的特性测定用的收纳构件的制造方法。收纳构件(12)具有：绝缘部，其由绝缘性材料形成，形成有多个开口和分别与开口连通的多个腔室；以及导电部，其由导电性材料形成，并与绝缘部接合在一起。导电部以与形成于绝缘部的腔室之间设有间隔的方式配置于接触区域(12t)、相对区域以及内部区域中的至少一者，接触区域(12t)是收纳构件(12)的第1主面(12s)中的与自电子部件供给机构(14)供给来的电子部件(18)接触的区域，相对区域是收纳构件(12)的第2主面(12r)中的与接触区域(12t)相对的区域，内部区域夹在接触区域(12t)与相对区域之间。驱动机构(16)使收纳构件(12)相对于电子部件供给机构(14)相对移动。

摘要： 根据实施方式，电子设备包括：透明构件；光学传感器，设置在透明构件的下方，并且包括光发射器和光接收器，其中光发射器配置成发出指定波长带的光，光接收器配置成获得从光发射器发出并由邻近透明构件的外部对象反射的指定波长带的光；第一光学滤波器，设置在透明构件和光学传感器之间，对于指定波长带的光具有第一透射率，并且配置成反射指定波长带之外的光；以及第二光学滤波器，设置在透明构件和第一光学滤波器之间，对于指定波长带的光具有小于第一透射率的第二透射率，并且配置成吸收由第一光学滤波器反射的光的至少一部分。

摘要： 提供了一种晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质，所述晶体管包括半导体层和栅极，所述半导体层包括：彼此分离的源极和漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述栅极面向所述半导体层的沟道，所述方法包括：基于泊松方程以及基于电荷中性定律计算热平衡陷阱电荷密度Q’T的过程(a)；在所述栅极和所述半导体层之间施加电压后计算所述瞬态陷阱电荷密度qT的过程(b)；基于所述瞬态陷阱电荷密度qT计算自由载流子电荷密度qI的过程(c)；基于所述自由载流子电荷密度qI计算在所述源极和所述漏极之间流动的漏极电流Id的过程(d)。

摘要： 一种滤波器特性变更装置、滤波器特性变更方法、记录介质以及电子乐器。处理器在被指示有组合有多个部分滤波器并形成所指定的特性的集合滤波器的特性变更的情况下，作为上述多个部分滤波器之内的第一滤波器和第二滤波器的交叉进出处理，进行逐渐地减小上述第一滤波器有助于上述特性的程度的淡出处理，并且进行逐渐地增大上述第二滤波器有助于上述特性的程度的淡入处理。由此，能够消除滤波器特性的变更时产生的不自然。

摘要： 本发明提供一种具备高测定精度的电子元器件的电气特性测定方法。其包括：预先生成使测定端子和外部电极抵接时的荷重的大小、与电气特性的测定误差量之间的关系式的步骤；使测定端子和电子元器件的外部电极抵接，并利用测定器检测流过电子元器件的电信号，来测定电子元器件的电气特性并得到测定电气特性，同时利用荷重传感器测定该抵接时的荷重的大小并得到荷重值的步骤；以及基于关系式，根据荷重值的大小，来对测定电气特性进行校正的步骤。

摘要： 一种电子源的特性调整方法及特性调整装置，以简易的工序使多电子源的电子发射特性及调整时间基本相同。上述方法包括：设定特性调整目标值的工序；对每个特性移动电压值生成特性调整表的工序；对每个电子发射元件，使特性移动到特性调整目标值的移动工序；以及监视上述电子发射特性的变化，再设定特性移动条件的工序。

摘要： 本发明公开了一种新型的光响应配位化合物，在其配位配体上具有至少一个光致变色单元。该光响应配位化合物被证明能够用作制造有机存储器件的电活性材料以及光控电子传输材料。