退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
李明珠; 蔡小五; 曾传滨; 李晓静; 李多力; 倪涛; 王娟娟; 韩郑生; 赵发展;
中国科学院微电子研究所;
中国科学院大学;
静电放电; 金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 维持电压; 高温;
机译:薄膜绝缘体上硅功率MOSFET在高温下的器件特性
机译:具有良好器件特性的高温成型SiGe p-MOSFET
机译:坑缺陷对平面MOSFET器件初始电气特性的影响
机译:背景掺杂浓度对高压工作扩展漏极N型MOSFET器件ESD保护特性的影响
机译:新一代静电放电(ESD)保护结构的新型器件的设计和特性
机译:以纳米MOSFET为基准的碳纳米管场效应晶体管的器件和电路级性能
机译:用于alxGa(1-x)as / Gaas mOsFET和相关异质结器件的Gaas和p + Gaas层的半导体器件处理蚀刻剂溶液的表征
机译:具有用于测试包括细栅极线的MOSFET的特性的MOSFET图案的半导体器件
机译:静电放电(ESD)保护电路采用隧道场效应晶体管(TFET)和冲击电离MOSFET(IMOS)器件
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。