机译:具有良好器件特性的高温成型SiGe p-MOSFET
机译:低温下的带尾及其对双极SiGe器件性能的影响
机译:硅盖厚度和温度对Si / Ge_(1-x)C_x / Si p-MOSFET器件性能的影响
机译:使用新型形式的基极电阻的SiGe HBT器件的WCDMA应用的高效功率特性
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:勘误:在与硅纳米和微电子器件兼容的温度下高性能锆钛酸铅钛酸盐的活性层
机译:由于负偏置温度的不稳定性,p-MOSFET器件中的安全工作条件和寿命估算