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具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件

摘要

本实用新型公开了一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件,包括第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第二P+掺杂区、第二N+掺杂区、第一触发结构和电阻R,其中:所述第一P+掺杂区一端连接PAD端,一端连接第一N+掺杂区;所述第一N+掺杂区两端分别连接第一、第二P+掺杂区;所述第二P+掺杂区两端分别连接第一、第二N+掺杂区;所述第二N+掺杂区一端连接第二P+掺杂区,一端连接接地端;所述第一触发结构连接端通过触发结构与PAD端连接;所述电阻R一端连接第一触发结构,一端连接接地端。本实用新型的有益效果:使NPN的BE结正偏,开启可控硅;采用堆叠SCR原理,实现双向电压保护和高维持电压,实现Latch‑up免疫。

著录项

  • 公开/公告号CN214254423U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都博思微科技有限公司;

    申请/专利号CN202022873491.4

  • 发明设计人 曹小强;

    申请日2020-12-04

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构51218 成都金英专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人袁英

  • 地址 610000 四川省成都市高新区高朋大道3号1幢5层508号

  • 入库时间 2022-08-23 00:31:40

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