BiCMOS integrated circuits; electrostatic discharge; thyristors; BiCMOS process; charged device model; electrostatic discharge protection; size 0.35 mum; transient influence; voltage 2 kV; voltage 8 kV; voltage silicon controlled rectifier;
机译:用于片上ESD保护应用的无辅助,低触发和高保持电压SCR(uSCR)
机译:具有华夫格布局结构的坚固且面积高效的nLDMOS-SCR用于高压ESD保护
机译:NLDD / PHALO辅助的低触发SCR,无需使用额外的掩模即可实现耐高压ESD保护
机译:一种用于面积有效的片上ESD保护的新颖且强大的未辅助,低触发,低触发和高压电压SCR(USCR)
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:具有嵌入式载流子复合结构的新型高保持电压SCR可实现闩锁免疫和强大的ESD保护
机译:CmOs片上静电放电保护电路,采用具有低EsD触发电压的四sCR结构
机译:1976年8月6日至7日在马里兰州贝塞斯达举行的国家生物医学和行为研究人类受试者保护委员会会议记录(第21次)全文。