机译:通过使用具有高触发电流的改良型LVTSCR器件,为CMOS输出缓冲器提供ESD保护
机译:具有低压大电流触发特性的横向SCR器件,用于亚微米CMOS技术中的输出ESD保护
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:如何安全地将LVTSCR应用于CMOS全芯片ESD保护,而不会意外触发
机译:纳米级CMOS中的ESD保护问题。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件,用于28 nm CMOS过程中的ESD保护