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Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998

召开年：1998
召开地：Reno, NV
出版时间：-

会议文集：-

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1.Electrostatic discharges from charged particles approaching a grounded surface

机译：来自带电粒子的静电放电接近接地表面
- 作者：Dascalescu;L.;Ribardiere;P.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
2.Measures against electrostatic destruction of electronic devices at electronic equipment assembly shops

机译：在电子设备装配车间中防止静电破坏电子设备的措施
- 作者：Saotome;K.;Matsuhashi;K.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
3.Charge trap phenomena on EPROM device-methodology to identify the cause of the problem in IC manufacturing process to improve the electrical test yield

机译：EPROM器件方法上的电荷陷阱现象可识别IC制造过程中问题的原因，从而提高电测试合格率
- 作者：Omar;I.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
4.Electromagnetic interference (EMI) damage to giant magnetoresistive (GMR) recording heads

机译：电磁干扰（EMI）对巨型磁阻（GMR）记录头的损坏
- 作者：Wallash;A.;Smith;D.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
5.Electrostatic build up on metal balls due to sliding contact with insulating materials, and how to reduce it with carbon-fiber reinforced plastics-electrostatic discharge in pachinko parlors

机译：金属球由于与绝缘材料的滑动接触而积聚静电，以及如何用碳纤维增强塑料减少静电-弹球机房中的静电放电
- 作者：Nakanishi;K.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
6.ESD events in aircraft cabin environment

机译：机舱环境中的ESD事件
- 作者：Honda M.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
7.Human body capacitance: static or dynamic concept? ESD

机译：人体电容：静态还是动态的概念？ ESD
- 作者：Jonassen N.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
8.A simulation study of HBM failure in an internal clock buffer and the design issues for efficient power pin protection strategy

机译：内部时钟缓冲器中HBM故障的仿真研究以及有效电源引脚保护策略的设计问题
- 作者：Puvvada;V.;Duvvury;C.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
9.Pitfalls when correlating TLP, HBM and MM testing

机译：关联TLP，HBM和MM测试时的陷阱
- 作者：Notermans G.;De Jong P.;Kuper F.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
10.Wrist strap designs and comparison of test results according to MIL-PRF-87893 and ANSI EOS/ESD association S1.1

机译：根据MIL-PRF-87893和ANSI EOS / ESD协会S1.1的腕带设计和测试结果比较
- 作者：Namaguchi;T.;Uchida;H.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
11.Evaluation of cleanroom/ESD garment fabrics: test methods and results

机译：评估洁净室/防静电服装面料：测试方法和结果
- 作者：Boone;W.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
12.High voltage resistant ESD protection circuitry for 0.5 /spl mu/m CMOS OTP/EPROM programming pin

机译：适用于0.5 / spl mu / m CMOS OTP / EPROM编程引脚的耐高压ESD保护电路
- 作者：Schroder;H.-U.;Van Steenwijk;G.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
13.Influence of the device package on the results of CDM tests-consequences for tester characterization and test procedure

机译：器件封装对CDM测试结果的影响-测试人员表征和测试程序的后果
- 作者：Brodbeck;T.;Kagerer;A.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
14.Measurement of the effects of ionizer imbalance and proximity to ground in MR head handling

机译：测量MR磁头处理中电离器不平衡和接近地面的影响
- 作者：Levit;L.;Wallash;A.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
15.A study of ESD sensitivity in AMR and GMR recording heads

机译：AMR和GMR记录头的ESD灵敏度研究
- 作者：Lam C.F.;Chang C.;Karimi R.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
16.EOS analysis of soldering iron tip voltage

机译：烙铁头电压的EOS分析
- 作者：Baumgartner G.;Smith J.S.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
17.ESD and latch-up characteristics of semiconductor device with thin epitaxial substrate

机译：具有薄外延衬底的半导体器件的ESD和闩锁特性
- 作者：Suzuki;T.;Sekino;S.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
18.ESD prevention on an unshunted MR head

机译：未分流的MR头上的ESD预防
- 作者：Zhu L.-Y.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
19.ESD protection for mixed-voltage I/O using NMOS transistors stacked in a cascode configuration

机译：使用共源共栅配置中堆叠的NMOS晶体管为混合电压I / O提供ESD保护
- 作者：Anderson;W.R.;Krakauer;D.B.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
20.ESD-related process effects in mixed-voltage sub-0.5 /spl mu/m technologies

机译：低于0.5 / spl mu / m的混合电压技术中与ESD相关的过程影响
- 作者：Gupta;V.;Amerasekera;A.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
21.Ion milling induced ESD damage during MR head fabrication

机译：MR磁头制造过程中离子铣削引起ESD损坏
- 作者：Olson D.H.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
22.New injection moldable ESD compounds based on very low carbon black loadings

机译：基于极低炭黑负载的新型可注射成型ESD化合物
- 作者：Narkis;M.;Lidor;G.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
23.A substrate triggered lateral bipolar circuit for high voltage tolerant ESD protection applications

机译：衬底触发的横向双极电路，用于耐高压ESD保护应用
- 作者：Smith;J.C.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
24.Substrate resistance modeling and circuit-level simulation of parasitic device coupling effects for CMOS I/O circuits under ESD stress

机译：ESD应力下CMOS I / O电路的寄生器件耦合效应的衬底电阻建模和电路级仿真
- 作者：Li;T.;Tsai;C.-H.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
25.Ultra low impedance transmission line tester

机译：超低阻抗传输线测试仪
- 作者：Chu C.Y.;Worley E.R.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
26.An automated tool for detecting ESD design errors

机译：用于检测ESD设计错误的自动化工具
- 作者：Siha S.;Swaminathan H.;Kadamati G.;Duvvury C.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
27.Bipolar model extension for MOS transistors considering gate coupling effects in the HBM ESD domain

机译：考虑HBM ESD域中的栅极耦合效应的MOS晶体管双极模型扩展
- 作者：Wolf;H.;Gieser;H.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
28.Cross-referenced ESD protection for power supplies microprocessors

机译：电源微处理器的交叉引用ESD保护
- 作者：Anderson;W.R.;Montanaro;J.J.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
29.Evaluation of wrist strap monitors from an MR head perspective

机译：从MR头角度评估腕带显示器
- 作者：Gocemen F.;Szymanski M.;Salisbury J.;Sanchez M.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
30.Investigation into socketed CDM (SDM) tester parasitics

机译：插座式CDM（SDM）测试仪寄生虫调查
- 作者：Chaine M.;Verhaege K.;Avery L.;Kelly M.;Gieser H.;Bock K.;Henry L.G.;Meuse T.;Brodbeck T.;Barth J.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
31.Non-uniform triggering of gg-nMOSt investigated by combined emission microscopy and transmission line pulsing

机译：结合发射显微镜和传输线脉冲研究了gg-nMOSt的非均匀触发
- 作者：Russ;C.;Bock;K.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
32.Semiconductor process and structural optimization of shallow trench isolation-defined and polysilicon-bound source/drain diodes for ESD networks

机译：用于ESD网络的浅沟槽隔离定义的和多晶硅绑定的源极/漏极二极管的半导体工艺和结构优化
- 作者：Voldman;S.;Geissler;S.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
33.Characterization and optimization of a bipolar ESD-device by measurements and simulations

机译：通过测量和仿真来表征和优化双极性ESD器件
- 作者：Stricker;A.D.;Mergens;M.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
34.Metrology and methodology of system level ESD testing

机译：系统级ESD测试的计量和方法
- 作者：Lin D.;Pommerenke D.;Barth J.;Henry L.G.;Hyatt H.;Hopkins M.;Senko G.;Smith D.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
35.Electrostatic hazards of explosive, propellant and pyrotechnic powders

机译：炸药，推进剂和烟火粉的静电危害
- 作者：Dahn;C.J.;Reyes;B.N.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
36.Investigations on the thermal behavior of interconnects under ESD transients using a simplified thermal RC network

机译：使用简化的热RC网络研究ESD瞬变条件下互连的热行为
- 作者：Salome;P.;Leroux;C.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
37.Magneto optical static event detector

机译：磁光静态事件检测器
- 作者：Jacksen N.;Tan W.;Boehm D.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
38.Simulation of complete CMOS I/O circuit response to CDM stress

机译：完整的CMOS I / O电路对CDM应力响应的仿真
- 作者：Beebe S.G.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
39.An experimental and theoretical consideration of physical design parameters in field-induced charged device model ESD simulators and their impact upon measured withstand voltages

机译：在场感应带电设备模型ESD仿真器中物理设计参数的实验和理论考虑及其对测得的耐压的影响
- 作者：Carey;R.E.;DeChiaro;L.F.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
40.How to safely apply the LVTSCR for CMOS whole-chip ESD protection without being accidentally triggered on

机译：如何安全地将LVTSCR应用于CMOS全芯片ESD保护，而不会意外触发
- 作者：Ker;M.-D.;Chang;H.-H.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
41.Current transients and the Guzik: a case study and methodology for qualifying a spin stand for GMR testing

机译：电流瞬变和Guzik：用于GMR测试的旋转支架合格的案例研究和方法
- 作者：Himle;J.;Bailey;R.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
42.Controlling ESD and absorbing and shielding EMW by using conductive fiber in aircraft

机译：利用飞机中的导电纤维控制ESD并吸收和屏蔽EMW
- 作者：Hiramoto;T.;Terauchi;T.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
43.Discussion on electric parameters of standard for anti-electrostatic floor

机译：防静电地板标准电参数的探讨
- 作者：Zonghan;W.;Quan;C.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年
44.Outgassing, volatile organic content, and contamination content of materials used in today's electronics workplace

机译：当今电子工作场所中使用的材料的除气，挥发性有机物含量和污染含量
- 作者：Cohen;L.;Blankstein;S.
- 会议名称：《Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 1998》 | 1998年