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【2h】

Robust and Latch-Up-Immune LVTSCR Device with an Embedded PMOSFET for ESD Protection in a 28-nm CMOS Process

机译：具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件，用于28 nm CMOS过程中的ESD保护

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作者
Ruibo Chen; Hongxia Liu; Wenqiang Song; Feibo Du; Hao Zhang; Jikai Zhang; Zhiwei Liu;
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年度 2020
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1. Improving ESD Robustness of pMOS Device With Embedded SCR in 28-nm High- $k$ /Metal Gate CMOS Process [J] . Lin Chun-Yu, Chang Pin-Hsin, Chang Rong-Kun Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第4期

机译：采用28nm高 $ k $ /金属门CMOS工艺的嵌入式SCR提高pMOS器件的ESD鲁棒性
2. ESD protection for CMOS output buffer by using modified LVTSCR devices with high trigger current [J] . Ker M.-D. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1997,第8期

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3. Low-Leakage and Low-Trigger-Voltage SCR Device for ESD Protection in 28-nm High- k Metal Gate CMOS Process [J] . Chun-Yu Lin, Yi-Han Wu, Ming-Dou Ker Electron Device Letters, IEEE . 2016,第11期

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4. PMOSFET-based ESD protection in 65nm bulk CMOS technology for improved external latchup robustness [C] . Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium . 2005

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5. Issues of ESD protection in nano-scale CMOS. [D] . Yang, Yang. 2010

机译：纳米级CMOS中的ESD保护问题。
6. Robust and Latch-Up-Immune LVTSCR Device with an Embedded PMOSFET for ESD Protection in a 28-nm CMOS Process [O] . Ruibo Chen, Hongxia Liu, Wenqiang Song, 2020

机译：具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
7. Design of ESD Protection Diodes With Embedded SCR for Differential LNA in a 65-nm CMOS Process [O] . 2014

机译：采用嵌入式sCR的EsD保护二极管设计，用于65nm CmOs工艺中的差分LNa
8. Embedded micromechanical devices for the monolithic integration of MEMS and CMOS [R] . Smith, J. H., Montague, S., Sniegowski, J. J., 1995

机译：嵌入式微机械器件，用于mEms和CmOs的单片集成

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