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徐玲; 岳振; 李贵男;
东北微电子研究所,沈阳,110032;
亚微米CMOS ESD 正方形设计 六边形设计 八边形设计;
机译:用于亚微米CMOS输出晶体管的新型缓冲设计,以提高驱动能力和ESD鲁棒性
机译:亚微米CMOS工艺中栅极驱动的NMOS ESD保护电路的设计方法和优化
机译:嵌入式SCR器件的设计可提高低压CMOS技术中堆叠设备输出驱动器的ESD鲁棒性
机译:亚微米CMOS输出晶体管的新布局设计可提高单位布局面积的驱动能力和ESD鲁棒性
机译:使用深亚微米CMOS的神经植入物的片上系统(SoC)设计方法和实现。
机译:LTA1是一种安全的基于鼻内肠毒素的佐剂可提高针对年轻年老和B细胞枯竭(μMT)小鼠的流感疫苗保护能力
机译:用于保存硅区的亚微米CmOs技术中输出晶体管的多单元方形布局设计
机译:开发一种晶体管 - 变容二极管,能够以2.3 Ghz输出5瓦输出
机译:CMOS输出缓冲器具有增强的高ESD保护能力
机译:触点阵列布局,用于提高CMOS晶体管的ESD能力
机译:半导体集成电路器件,包括具有用于输入或输出电路保护的改进的ESD保护能力的ESD保护电路
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