...
机译:薄膜绝缘体上硅功率MOSFET在高温下的器件特性
Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
机译:薄膜绝缘体上硅功率MOSFET在高温下的热载流子效应和正偏置温度不稳定性
机译:一种修正的反向栅二极管技术,用于确定绝缘体上薄膜硅器件的产生参数及其在高温下的应用
机译:30V级薄膜SOI功率MOSFET的器件特性
机译:薄膜SOI功率N型和P沟道MOSFET在高温下稳定性的稳定性比较
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:区域熔化的重结晶绝缘体上硅MOSFET的高温特性
机译:利用IsE-TCaD软件模拟在低温下工作的功率mOsFET器件