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一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法

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介绍了Rymaszewski四探针法测薄膜方块电阻原理,设计并搭建了可测室温到550℃的四探针测试仪.该系统可在保护气体下变温测量薄层电阻,弥补了四探针法在较高温度测量薄膜电阻率的不足.制备并测试了多晶硅及铂薄膜的电阻温度特性,用多项式拟合了在该温度范围内电阻温度系数,并分析了方法可靠性.

著录项

来源
《科学技术与工程》 |2014年第21期|234-238|共5页
作者
张志浩; 施永明; 王俊; 马斌;
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作者单位

中科院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;

中科院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;

中科院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;

中科院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类测量和检验;
关键词
四探针; Rymaszewski法; 高温; 薄膜; 多晶硅; Pt; 电阻温度系数;

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