磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量

摘要

利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机，分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒（VOz）相变薄膜；并在20-80℃内往复变化时，利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明，两类样品均具有热敏相变特性；氧化法制备薄膜的电阻为9．96～0．06kΩ，相变温度约为30℃；还原法制备薄膜的电阻为80．3～7．4kΩ，相变温度约为52℃。