沟道层厚度对室温下制备In2O3薄膜晶体管器件性能的影响

摘要

在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,本文对沟道层厚度对底栅式In2O3薄膜晶体管的电学性质的影响进行了讨论.经验证器件的特性与沟道层厚度有关。最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2V,开关电流比为约106,场效应迁移率为6.2cm2V-1s-1。