Graphene; Silicon; Epitaxy; Monomethylsilane;
机译:Si(110)衬底上3C-SiC(111)的高速率旋转外延,用于硅上合格的外延石墨烯
机译:使用单甲基硅烷基气体源分子束外延在Si(110)衬底上旋转3C-SiC(111)外延
机译:利用C(3)-SiC(-1-1-1)端基在Si(110)上的两步异质反应在Si衬底上形成合格的外延石墨烯
机译:Si(110)衬底上的3C-SiC(111)的高速旋转外延在硅上合格的外延石墨烯
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:3C-SiC(111)/ Si(111)上涉及石墨烯外延的表面化学
机译:通过在Si(111),(110),(100)基材上的3C-SiC薄膜的热转化通过热转化石墨烯 - 硅形成