机译:利用C(3)-SiC(-1-1-1)端基在Si(110)上的两步异质反应在Si衬底上形成合格的外延石墨烯
Epitaxial graphene; 3C-SiC; Heteroepitaxy; Gas-source MBE;
机译:利用C(3)-SiC(-1-1-1)端基在Si(110)上的两步异质反应在Si衬底上形成合格的外延石墨烯
机译:透射电子显微镜观察3C-SiC(110)和3C-SiC(100)虚拟衬底上外延石墨烯的生长
机译:3C-SiC(111)在AIN /脱轴Si(110)异质结构和外延石墨烯的生长
机译:Si(110)衬底上的3C-SiC(111)的高速旋转外延在硅上合格的外延石墨烯
机译:欧姆金属和氧化物沉积对碳化硅衬底上多层外延石墨烯的结构和电性能的影响。
机译:3C-SiC / Si上Ni辅助低温形成外延石墨烯的原位SR-XPS观察
机译:通过在Si(111),(110),(100)基材上的3C-SiC薄膜的热转化通过热转化石墨烯 - 硅形成