Graphene 3C-SiC(111) Si(111) Epitaxy Surface termination;
机译:微细加工的Si(111)基底上3C-SiC(111)薄膜上石墨烯的外延
机译:Si(110)衬底上3C-SiC(111)的高速率旋转外延,用于硅上合格的外延石墨烯
机译:通过插入3C-SiC(111)中间层用于混合取向技术,在Si(110)衬底上的Si(111)气源分子束外延
机译:Si(110)衬底上的3C-SiC(111)的高速旋转外延在硅上合格的外延石墨烯
机译:石墨烯在Ir(111)上的取向依赖性范德华外延。
机译:固-气相外延在Si(111)上生长的3C-SiC薄膜的微喇曼映射
机译:3C-SiC(111)/ Si(111)上涉及石墨烯外延的表面化学