Si(100)晶片上平直的Si{111}与Si{110}面交线的制备方法

摘要

本发明公开了一种Si(100)晶片上平直的Si{111}与Si{110}面交线的制备方法，实施步骤包括：准备添加有用于降低面刻蚀速率的添加剂的刻蚀液；将用于制备Si{111}与Si{110}面交线的Si(100)晶片放置在刻蚀液中进行刻蚀，且定时往刻蚀液中补充添加剂使得刻蚀液的组分浓度恒定；在Si(100)晶片刻蚀作业达到指定时间后取出。通过本发明可使Si{111}面和过刻蚀Si{110}面光滑平整，Si{111}面和过刻蚀Si{110}面面交线平直度达到理想状态，减小因凸角和粗糙表面引起的应力集中和硅结构部件的变形，改善MEMS器件结构的对称性和平衡性，减小了MEMS器件的误差，提高了MEMS器件性能和灵敏度。