机译:Si(111),Si(110)和Si(100)上特高压制备的超薄SiO2层界面间隙态缺陷的氢钝化
Silicon/Silicon dioxide interface; Photoelectron spectroscopy; Gap states;
机译:Si(111),Si(110)和Si(100)上特高压制备的超薄SiO2层界面间隙态缺陷的氢钝化
机译:(100)Si上超薄SiO2,Al2O3和ZrO2层堆叠中界面Si悬挂键缺陷的电子自旋共振分析
机译:利用TaSiOx原子层沉积工艺对外延(100)和(110)InGaAs进行原位SiO2钝化
机译:分子氢钝化(111)Si / SiO_2界面缺陷
机译:在半导体上产生太阳能:在新型铜铁矿AgRhO2和具有{110}面的p-GaP(111)表面上通过光蚀刻进行CO 2还原后,光辅助的H 2析出
机译:外延原位SiO2钝化(100)利用TaSiOx原子层沉积工艺制备和(110)InGaAs
机译:应变对凝结生长具有纳米GexSi1-x层的SiO2 / GexSi1-x / SiO2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:Xps研究si(100)和si(111)表面上超薄铂和铱硅化物层的形成。