ＰＥＣＶＤ工艺研究

摘要

研究了ＰＥＣＶＤ设备，并用此设备进行了ＳｉＯ〈，２〉和Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉淀积工艺研究，取得了大面积均匀性≤±１℅的结果，除此之外还对ＰＥＣＶＤ的其它应用进行了初步探索。