板式pecvd制备氧化铝工艺研究

摘要

相比原子层沉积(ALD),等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在氧化铝钝化膜制备方面沉积速率快.利用板式PECVD在电池背表面制备氧化铝钝化膜,膜厚控制在7 nm^10 nm,折射率大于1.63,双面氧化铝钝化少子寿命可达3 ms,表面复合速率低至3 cm/s.结合背激光开槽开孔率的增大,应用到量产钝化发射极背接触(PERC)晶硅电池,效率可达22.3%.