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光阴极

光阴极的相关文献在1962年到2023年内共计285篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、物理学、原子能技术 等领域,其中期刊论文103篇、会议论文9篇、专利文献21329篇;相关期刊50种,包括核技术、电子学报、中国无线电电子学文摘等; 相关会议9种,包括第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会暨核电子学与核探测技术分会第八次全国会员代表大会、第二届全国核技术及应用研究学术研讨会、首届全国脉冲功率会议等;光阴极的相关文献由741位作者贡献,包括曹柱荣、潘清、侯洵等。

光阴极—发文量

期刊论文>

论文:103 占比:0.48%

会议论文>

论文:9 占比:0.04%

专利文献>

论文:21329 占比:99.48%

总计:21441篇

光阴极—发文趋势图

光阴极

-研究学者

  • 曹柱荣
  • 潘清
  • 侯洵
  • 唐传祥
  • 常本康
  • 杨兴繁
  • 袁铮
  • 黄文会
  • 黎明
  • 李正红
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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年份

    • 孟祥东; 甄超; 刘岗; 成会明
    • 摘要: 氧化铜是一种有潜力的光电催化分解水用光阴极材料,但由于其在光电催化分解水过程中会发生严重的光腐蚀,限制了其实际应用.因此,构建有效的保护壳层抑制氧化铜光腐蚀,具有重要意义.虽然原子层沉积技术已成为构建光阴极保护层的主流手段,但由于制造成本高昂,难以满足未来实际应用对低成本和规模化的要求,因此,亟需发展简易、低廉的保护壳层制备手段.从电化学稳定性的角度出发,发现氮化铜(Cu_(3)N)是一种电化学稳定的铜基氮化物,已被广泛应用于电催化还原CO_(2)、N_(2)和O_(2)等领域,具有强的抗电化学还原能力(J.Am.Chem.Soc.,2011,133,15236-15239;Nano Lett.,2019,19,8658-8663).因此,氮化铜具有作为氧化铜光阴极保护壳层的潜质.目前,氮化铜薄膜主要通过高真空的手段制备,如射频磁控溅射以及等离子体辅助分子束外延等方式.为了实现低成本、易制备的目标,本文发展了一种低温(185°C)氮化的方法,在氧化铜光阴极表面原位制备出氮化铜保护壳层,使氧化铜光阴极获得了稳定的光电催化分解水性能.在20 min的光电催化分解水的稳定性测试中,未保护的氧化铜光阴极的光电流密度衰减至初始光电流密度的10%,而氮化铜壳层保护的氧化铜光阴极的光电流密度则仍可保持其初始光电流密度的80%.通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)等表征方法,研究了氮化铜保护壳层对氧化铜光阴极的保护机理,即致密的抗还原物质氮化铜作为保护层,有效隔绝了电解质溶液与氧化铜的直接接触,从而抑制了氧化铜的光腐蚀.XRD和XPS结果证实表面氮化铜壳层的生成;SEM结果表明,存在致密的氮化铜薄膜壳层.光电化学稳定性测试后,样品的XRD结果表明,无氮化铜保护的氧化铜光阴极已经完全被还原为氧化亚铜,而氮化铜保护的氧化铜光阴极只有少部分被还原为氧化亚铜,证明氧化铜的光腐蚀得到了有效的抑制.稳定性测试结果表明,氮化铜保护的氧化铜光阴极表面的N 1s信号基本保持不变,证实了氮化铜保护壳层具有高电化学稳定性和抗电化学还原能力.虽然,氮化铜保护壳层在一定程度上限制了氧化铜光阴极的光电催化分解水活性,但后续可尝试在氮化铜表面负载产氢助催化剂,以实现光电流密度和稳定性的同步提升.本工作展示了氮化铜用作不稳定光阴极表面(尤其是铜基光阴极)保护壳层的潜力.
    • 王立群; 闫啸; 司文平; 刘道兰; 侯兴刚; 李德军; 侯峰; 窦世学; 梁骥
    • 摘要: 氨是一种重要的化工产品和非碳基能源载体,全球年产量已达2亿吨.目前,氨的工业化生产主要依赖Haber-Bosch工艺,其能耗高且污染严重.因此亟需开发一种低碳环保的替代工艺以实现氨合成工业的可持续发展.现阶段主要有三种比较有发展潜力的新型氨合成工艺,即电催化、光催化和光电化学氮还原产氨技术.这些氮还原技术都可在温和环境条件下合成氨,具有能耗低、零排放等优势,被认为是替代Haber-Bosch工艺的有效途径,受到广泛关注.其中,与前两者相比,光电化学氮还原具有明显优势:与电催化氮还原相比,光电化学氮还原能够实现从太阳能到化学能的直接转化,具有较高的能量转化效率;而与光催化氮还原相比,光电化学氮还原系统中的外加偏压能够加速激子分离,有效提高太阳能到化学能的转化效率.在光电化学氮还原过程中,其核心组件光电阴极材料的性能决定了反应的氨产量、选择性和稳定性.本文总结了近年来光电化学氮还原领域的最新进展,特别是其中涉及的光阴极材料.首先,详细介绍了光电化学氮还原所涉及的基本原理和面临的主要瓶颈.其次,逐一总结了已报道的用于光电化学氮还原的光电阴极材料,包括氧化物(氧化铜、氧化亚铜、碘氧化铋、溴化氧铋和矾酸铋)、硫化物(硫化铜、硫化铟和硫化钼)、硒化物(硒化钼)、黑硅和黑磷等,并特别对其中所涉及的催化机理问题作了重点分析.最后,对该领域面临的未来发展方向和可能的解决方案提出了建议.其中,开发具有合适的能带结构、快速的激子分离、高的催化活性和选择性以及优异的稳定性的光阴极材料是光电化学氮还原技术走向实际应用的关键.此外,为了实现上述目标,本文还提出了八点切实可行的技术方案:高效的共催化剂、单原子和多原子团簇催化剂、异质结工程、三维有序结构、保护层、无偏压的光电化学系统、可靠的氨检测技术,以及硝酸盐还原等,以期在一定程度上推动光电化学氮还原领域的进一步发展.
    • 高剑森; 刘健
    • 摘要: 在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试;对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表面光电压的影响,确定了多层结构氮化镓材料表面光电压产生机理;借助亚带隙激光辅助,针对均匀掺杂和δ-掺杂氮化镓(GaN)光电阴极薄膜材料进行了表面光电压测试;实验数据表明,相较于均匀掺杂,δ-掺杂可以获得更好生长质量,但也提高了在能级(E_(v)+0.65)eV~(E_(v)+1.07)eV范围的缺陷态密度。
    • 李旭东; 姜增公; 顾强; 张猛; 林国强; 赵明华; 郭力
    • 摘要: 为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5%,并且制备成功率达到100%.只要制备腔室真空好于10^(-8) Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.
    • 冯立文; 王天一; 贾豪彦; 刘中琦; 徐航; 黄森林; 刘克新
    • 摘要: 为满足北京大学新一代超导注入器DC-SRF-II注入器的需求,设计了新的光阴极驱动激光系统。系统采用模块化的布局,可以工作在从单脉冲到81.25 MHz连续波模式,绿光输出功率1.41 W@1 MHz。系统实现了激光的纵向和横向整形,纵向整形后的激光脉冲为平顶分布,脉宽约为18 ps,横向则为截断高斯分布。实验结果显示,输出激光的RMS功率波动为1.8%,指向抖动小于1μrad。
    • 摘要: 2019年,中国工程院院士周立伟曾在《光学学报》发表系列文章《复合电磁同心球系统的成像电子光学》。2021年秋,周立伟重新梳理他在这一方向的研究,形成4篇系列文章,作为2019年文章的姊妹篇,再次选择发表在《光学学报》上。周立伟介绍,自己在钻研电子光学的过程中,主要思考了两个问题:一是近轴电子光学理论只能解决理想成像,仅适合解决邻近对称轴区域的电子光学问题,成像电子光学要研究由光阴极逸出的大物面宽电子束在系统中的行进轨迹及其成像的规律和所形成的像差。
    • 王琳; 方文程; 赵振堂
    • 摘要: 自由电子激光(Free Electron Laser,FEL)对电子束的发射度有极高的要求.近年来,可产生短电子束团并且具有高亮度性质的电子枪,是研发高性能FEL的核心部分,也是重要挑战与研究热点.一个很有前景的方向是提高微波电子枪(RF电子枪)内的加速梯度.提高现有电子枪的梯度,需要对电子枪微波场的优化、螺线管的设计和束流初始分布设置有全新的方案.为了解决这个需要多参数协调优化的问题,本文基于上海软X射线自由电子激光装置,率先从空间电荷力、加速电场与发射度补偿的角度,系统地分析和探索了高梯度C波段光阴极电子枪升级的设计与优化的方法.用ASTRA程序,对电子枪内不同电场强度对束流动力学的影响进行了模拟.详细分析了发射度补偿原理,对螺线管的主副螺线圈电流比进行优化,并研究了初始束团分布对发射度的影响.模拟结果表明:采用优化的电场强度、螺线管的主副螺线圈电流比与初始束团分布,电子枪输出束团的发射度有显著改善,满足FEL光源对于电子枪低发射度的要求.
    • 赵娣; 傅丽; 刘洪燕; 陈钰; 李桂花; 张心仪; 杜云志; 马佳柔
    • 摘要: 采用电化学共沉积法制备了含少量氧化石墨烯(GO)的Ag@AgBr/GO/Ni表面等离子体膜电极,该膜电极的表面微观形貌呈现出GO覆盖在AgBr颗粒表面的褶皱结构.纳米Ag分布在AgBr表面以及GO和AgBr接触的边缘,尺寸分布从10 nm到120 nm基本上呈正态分布趋势,颗粒尺寸多为50~80 nm.作为光阴极Ag@AgBr/GO/Ni膜电极表现出优异的催化活性和循环稳定性,光电化学过程与暗态的电化学过程的本质不同在于其存在光生电子由价带跃迁至导带而产生的光电流.在可见光照射和最佳阴极偏压下,良好的光电协同效应、GO优异的导电性能和较大颗粒纳米Ag增强的表面等离子体效应是Ag@AgBr/GO/Ni优异光电催化性能的主要原因.
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