基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极

摘要

为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5%,并且制备成功率达到100%.只要制备腔室真空好于10^(-8) Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.