碲锌镉

摘要： 针对高质量、大规模碲镉汞红外焦平面探测器需求的持续增加,本文开展了使用分子束外延方式在50 mm×50 mm(211)B碲锌镉衬底上外延碲镉汞材料技术的研究。通过对碲锌镉衬底改进湿化学腐蚀、碲锌镉衬底预处理、碲锌镉衬底缓冲层生长、碲锌镉基碲镉汞材料工艺开发等方面的研究,开发出了能够稳定获得碲锌镉基碲镉汞材料的工艺。材料质量、工艺重复性良好,获得的碲锌镉基碲镉汞材料双晶衍射半峰宽(35±5)arcsec,组分平均值为0.2160;碲镉汞薄膜材料厚度平均值为6.06μm。

摘要： 在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB)生长的部分碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位(V_(Cd))缺陷与Cd间隙(Cd_(i))缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。

摘要： 碲锌镉探测器具有本征能量分辨好、单位体积探测效率高、可在室温工作等优点,是核辐射探测领域的研究热点。本文介绍了碲锌镉晶体材料特性和探测器工作原理,回顾了单极性电荷灵敏技术在碲锌镉探测器中的应用发展过程,基于Shockley-Ramo定理阐释了单极性电荷灵敏技术的原理,介绍了碲锌镉探测器中典型的单极性电极结构,总结了各种电极结构的最新进展和性能指标。

摘要： 碲锌镉材料是制备高性能碲镉汞红外焦平面探测器不可或缺的衬底材料。液相外延工艺和分子束外延工艺分别需要使用(111)晶面和(211)晶面碲锌镉衬底制备碲镉汞薄膜材料。低偏角、高精度衬底的选取有利于高质量碲镉汞外延层的获得。介绍了孪晶线快速定向法、使用X射线衍射仪(X-Ray Diffractometer,XRD)定向法确定碲锌镉晶体(111)晶面以及用XRD由(111)晶面获得(211)晶面碲锌镉的方法。研究结果对高性能碲镉汞探测器研制具有重要意义。

摘要： 目的:探讨碲锌镉(cadmium-zinc-telluride,CZT)心脏专用SPECT(CZT-SPECT)心肌血流定量显像对经皮冠状动脉介入治疗(percutaneous coronary intervention,PCI)术后冠状动脉造影(coronary angiography,CAG)阴性胸痛患者冠状动脉微血管功能障碍(coronary microvascular dysfunction,CMD)的诊断价值。方法:回顾性收集2018年12月至2021年7月于某院进行CZT-SPECT心肌血流定量显像的PCI术后患者384例,筛选显像前后3个月内CAG结果阴性的胸痛患者共64例,以左心室心肌血流储备(left ventricle myocardial flow reserve,LV-MFR)值为2.0作为诊断界值将纳入病例分为CMD组(n=33)和非CMD组(n=31),采用独立样本t检验、Mann-Whitney U检验或皮尔逊卡方检验分析2组在临床基线资料、血脂生化指标、定量血流参数和半定量血流参数方面的差异。结果:与非CMD组相比,CMD组的左心室负荷心肌血流(stress myocardial blood flow,sMBF)明显减低(P0.05)。结论:CZT-SPECT心肌血流定量显像为PCI术后CAG阴性胸痛患者CMD的诊断和评价提供了一种客观的影像学方法,具有一定的临床应用价值。

摘要： 介绍了表面抛光的工艺过程和技术原理,对影响抛光质量的关键部件抛光盘主轴和承载器进行分析研究。通过抛光压力精密控制,抛光结果满足晶片表面平坦化要求。

摘要： 移动加热器法(THM)生长碲锌镉晶体时,界面稳定性对晶体生长的质量有很大影响。本文基于多物理场有限元仿真软件Comsol建立了THM生长碲锌镉晶体的数值模拟模型,讨论了Te边界层与组分过冷区之间的关系,对不同生长阶段的物理场、Te边界层与组分过冷区进行仿真研究,最后讨论了微重力对物理场分布的影响,并对比了微重力与正常重力下的生长界面形貌。模拟结果表明,Te边界层与组分过冷区的分布趋势是一致的,在不同生长阶段,流场中次生涡旋的位置会发生移动,从而导致生长界面的形貌随着生长的进行发生变化,同时微重力条件下形成的生长界面形貌最有利于单晶生长。因此,在晶体生长的中前期,对次生涡旋位置的控制和对组分过冷的削弱,是THM生长高质量晶体的有效方案。

摘要： 通过对视觉检测需求分析,设计了一款用于化学抛光设备的视觉检测系统,实现了多种规格晶片的视觉检测,并介绍了系统设计的方法与视觉识别的关键流程。

摘要： 目的基于数字化碲-锌-镉(Cadmium-Zinc-Telluride,CZT)半导体探测器的单光子发射计算机断层扫描(Single Photon Emission Computed Tomography,SPECT)/CT系统具有良好的空间分辨率和能量分辨率等优点,但不同的重建参数对CZT SPECT/CT定量的影响还需要进一步验证,本研究旨在评估重建参数(迭代次数、迭代子集、后滤波和图像校正方法)对CZT SPECT/CT锝定量准确性的影响。方法采用锝液将体模填充为32∶1靶本(Target to Background,T/B)比。测量平均摄取值,以评估不同采集和重建参数下的恢复系数(Recovery Coefficients,RCs)的变化。图像质量采用美国电气制造商协会NU 2-2012标准进行评估。结果迭代次数与RCs之间存在显著的相关性(1~35次,r=0.58~0.92;35~90次,r=0.97~0.99),高斯滤波器的半高宽值与RCs之间也存在显著相关性(r=-0.87~-1.00,P<0.05)。回归分析中,1~35次迭代的β值高于35~90次迭代的β值(0.63~1.60 vs.0.02~0.15)。在所有T/B比值中,衰减校正(Attenuation Correction,AC)+散射校正(Scatter Correction,SC)+分辨率恢复校正(Resolution Recovery Correction,RR)组合计算的RCs精度更高(67.80%~106.70%)(P<0.001)。同时,AC+SC+RR组合的图像视觉质量和对比度最好(AC+SC+RR vs.AC+RR;AC+SC+RR vs.AC+SC,P<0.0.001)。结论迭代次数对于绝对定量有很大的影响,较小的病灶需要更大的迭代次数来提高定量准确性,其影响主要集中在35次迭代范围内;子集数对于绝对定量的影响较小,RCs在20个子集后已无明显变化;高斯滤波器的FWHM值对于绝对定量的影响最大,RCs随着FWHM值的增加而显著降低且无平台期可供选择。图像校正方法对于绝对定量也有较大的影响。其中,AC+SC+RR组合下的绝对定量更接近于真实值且图像质量相对较好。CZTSPECT/CT显示了良好的定量准确度,且35次迭代、20个子集、AC+SC+RR校正组合和不进行滤波是较好的重建参数。

摘要： 碲锌镉(CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,因为其原子序数大、电阻率高、禁带宽度大,相较于传统材料探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。目前,气相法、熔体法、溶液法等技术都被用来生长碲锌镉晶体。其中熔体法因生长系统简单可靠、速度快、晶体体积大等优点,已广泛应用于工业生产。但CZT低导热率、大蒸气压差异、低层错能等物理特性导致熔体法不可避免地会在晶体生长中引入空位、沉淀/夹杂相和位错等缺陷,严重影响其探测器的能量分辨率、响应速度等性能。本文对比了几种主流CZT晶体生长方法的优劣,总结了常见缺陷及改性的研究进展,并对CZT单晶生长及缺陷调控等未来研究方向进行了分析与展望。

摘要： 根据非晶相缺陷在红外透射显微镜中的几何成像原理,当缺陷图像的灰度一定时,其离焦距离与缺陷尺寸的比值只与显微镜的数值孔径相关.因此,只要测量出特定灰度范围内的缺陷数量,即可求出碲锌镉晶体材料中位于焦面附近的缺陷面密度.实验结果表明,与表面化学腐蚀坑观察法相比,新方法具有测试简单、非破坏性和自动化测量等优点,并能满足生产线对材料测试技术的要求.

摘要： 碲锌镉晶体是研制碲镉汞红外焦平面探测器所需的衬底材料,其制备技术由源材料合成、晶体生长、衬底加工和测试评价四个部分组成.本文针对合成工艺中的放热过程和合成料化学计量比的控制方法进行了研究.实验使用可视监控系统观测了碲锌镉多晶合成反应的动态过程.通过测量合成反应过程中石英坩埚的温度以及计算合成反应过程中碲和镉反应的放热速率等方式优化了碲锌镉晶体的合成工艺,并在此基础上通过采用定向凝固法技术对合成料的化学计量比实现了有效控制.

摘要： 高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红外透射形貌的描述和表征,碲锌镉晶体的常见夹杂物被分成了五类,并在此基础上讨论了各自的形成机制,A、B和C类夹杂物与化学配比及其变化密切相关,而D和E类夹杂物与源材料中或者在生长工艺控制过程中氧含量相关.进一步的研究表明大尺寸、高密度的Te夹杂物将会严重降低红外透过率,同时腐蚀坑密集分布在与Cd夹杂对应的六重对称线上,该结果揭示了第二相夹杂物会产生其他缺陷的增殖,但夹杂物引起的应力影响区域是局限的.

摘要： 文中通过使用Nakagawa、Everson、EAg1和EAg2四种常用腐蚀剂对碲锌镉材料的腐蚀坑空间分布特性进行研究,结果显示,20μm厚的(111)晶片A、B面上的腐蚀坑在空间位置上不存在对应关系,这表明腐蚀坑所对应的缺陷不是具有穿越特性的位错.腐蚀坑的空间局限性特征和热处理后腐蚀坑密度(EPD)减少等实验结果表明,腐蚀坑更有可能对应某种微沉淀物缺陷,将目前常用腐蚀剂的EPD作为碲锌镉材料的位错密度是缺乏实验依据的.

摘要： 综述了国内外研究组关于碲锌镉材料X射线衍射双晶回摆曲线的测量情况,指出了他们给出实验结果的不完善;通过改变在碲锌镉晶片上X射线测量照射光斑的大小测量了两块碲锌镉样品的X射线衍射双晶回摆曲线.实验结果给出,真实可靠的X射线衍射双晶回摆曲线测量应该是照射在样品上的X射线光斑应尽量覆盖样品,从实验测量碲锌镉晶片的X射线衍射双晶回摆曲线分析,我们生长的碲锌镉晶体在结构质量方面已经达到较好的水平.

摘要： 为了了解横向磁场对分离结晶过程中熔体热对流的影响,利用有限差分法进行了数值模拟.假定熔体不可压缩,高径比为1,下部狭缝处自由表面无因次宽度为0.075,研究了哈特曼数分别为25、50和75时碲锌镉(CdZnTe)晶体的生长过程.结果表明:横向磁场能够抑制熔体内部的流动,并随磁场强度的增加,抑制作用增强.

摘要： 首先给出在碲锌镉(CdZnTe)单元探测器研制的最新结果：室温下能量分辨率达到～3.8%@662KeV，单元探测器大小为10mm*10mm*1.5mm；其次介绍紫台在CdZnTe 阵列研究的最新进展及其相关技术。

摘要： 采用改进的Bridgman法生长出尺寸为Φ20mm×40mm、外表无裂纹的Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体,沿晶锭轴向每隔1.2cm取点,进行EDX、XRD测试,在EDX测试中发现Zn含量相对于理论值发生了偏离,随晶体生长过程呈现递减趋势,分析表明是由于Zn的分凝所引起。对XRD粉末衍射测试的结果进行结构分析,计算出上述不同位置的晶胞常数变化规律呈现递增趋势,表明Zn含量呈现递减趋势,与EDX实验结果一致。

摘要： 围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.

摘要： 围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.

摘要： 本发明提供一种碲锌镉探测器与碲锌镉探测器的栅极钝化方法，所述碲锌镉探测器的栅极钝化方法包括：对制备有阳极的碲锌镉晶片的上表面进行光刻处理，在阳极的表面覆盖第一厚度的光刻胶层，将栅极露出；对碲锌镉晶片的上表面进行化学抛光处理，去除栅极的表面的富碲层，基于化学抛光的反应产物在栅极的表面形成高阻钝化层，并使得阳极的表面保留第二厚度的光刻胶层；其中，第一厚度大于或等于第二厚度，第二厚度大于零。本发明处理工艺简单，能够在保护阳极的前提下实现对栅极的钝化处理，可有效降低碲锌镉探测器的漏电流，实现在较高的偏压下对碲锌镉探测器进行能谱测试，确保碲锌镉探测器达到较高的能谱分辨率。

摘要： 一种碲锌镉单晶炉，包括炉体，炉体内设有石英安瓿，石英安瓿中设有氮化硼坩埚，炉体外部设有激磁线圈，石英安瓿下方设有导热装置，炉体相对于垂直方向倾斜3°‑15°。一种碲锌镉单晶的生长工艺，包括以下步骤：选用Cd1‑xZnxTe籽晶，x选自0.04‑0.2范围内，打磨后浸泡至溴‑甲醇溶液；选用Cd1‑xZnxTe多晶料，x为0.04，石英安瓿抽真空后密封；将炉体相对于垂直方向倾斜3°‑15°，石英安瓿下方设置有螺旋式氮气管路，炉体外安装有激磁线圈；晶体引晶；晶体生长：使炉体处于勾形磁场内，氮气初始流量为50mL/分钟，按0.1mL/分钟的速度增加流量；原位退火和冷却。通过该生长工艺得到的碲锌镉单晶晶格结构的完整性较佳、直径较大且单晶成品率较高，不仅改善了所得单晶的质量，而且经济效益较好。

摘要： 本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法，其中，该装置包括：方形平台，用于放置碲锌镉样品，方形平台的厚度不小于第一预设值；在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏，围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落，围栏的高度不小于碲锌镉样品的厚度；在方形平台的底平面上设置一个凸起部分，凸起部分用于嵌入自动平台内。本发明提供的承载碲锌镉样品的装置面积大，且存在围栏，该装置的使用，既保证了测试结果的准确性，又大大提高了测试效率和工作效率，解决了现有技术光致发光系统的室温测试台不能快速定位、测试样品尺寸受限、测试后样品必须移动到样品台边缘后才能取下的问题。

摘要： 本发明涉及一种碲化镉或碲锌镉多晶料的制备方法，其特征在于包括以下制备工艺流程：1）将第一坩埚、盖合第一坩埚的第一盖子清洗干净并烘干，其中，第一坩埚具有沿外周壁的环形槽；第一盖子的顶部封闭、底部开口且侧壁能够插入环形槽内；2）按拟合成碲化镉的配比称取单质碲、单质镉；或者按拟合成碲锌镉的配比称取单质碲、单质镉、单质锌。本发明的制备方法采用液封技术阻止镉蒸气挥发损失，第一坩埚可以重复多次使用，从而降低了成本；通过采用水平式坩埚增大碲单质与镉熔体的接触面积，使化合反应热量快速散失，避免积温，减轻了碲与镉化合反应的剧烈程度，降低了对合成设备的耐压要求，降低了设备成本。

摘要： 本发明涉及一种碲化镉或碲锌镉多晶料的制备方法，其特征在于包括以下制备工艺流程：1）将第一坩埚、盖合第一坩埚的第一盖子清洗干净并烘干，其中，第一坩埚具有沿外周壁的第一环形槽；第一盖子的顶部封闭、底部开口且侧壁能够插入第一环形槽内；2）按拟合成碲化镉的配比称取单质碲、单质镉；或者按拟合成碲锌镉的配比称取单质碲、单质镉、单质锌。本发明的制备方法采用液封技术阻止镉蒸气挥发损失，第一坩埚可以重复多次使用，从而降低了成本；通过采用水平式坩埚增大碲单质与镉熔体的接触面积，使化合反应热量快速散失，避免积温，减轻了碲与镉化合反应的剧烈程度，降低了对合成设备的耐压要求，降低了设备成本。

摘要： 本发明公开了在碲化镉、碲锌镉和碲锰镉上化学镀金铂合金电极的方法，用于解决现有的化学镀方法制备电极时结合力差的技术问题。技术方案是利用氯金酸(HAuCl

摘要： 本发明提供一种碲锌镉探测器与碲锌镉探测器的栅极钝化方法，所述碲锌镉探测器的栅极钝化方法包括：对制备有阳极的碲锌镉晶片的上表面进行光刻处理，在阳极的表面覆盖第一厚度的光刻胶层，将栅极露出；对碲锌镉晶片的上表面进行化学抛光处理，去除栅极的表面的富碲层，基于化学抛光的反应产物在栅极的表面形成高阻钝化层，并使得阳极的表面保留第二厚度的光刻胶层；其中，第一厚度大于或等于第二厚度，第二厚度大于零。本发明处理工艺简单，能够在保护阳极的前提下实现对栅极的钝化处理，可有效降低碲锌镉探测器的漏电流，实现在较高的偏压下对碲锌镉探测器进行能谱测试，确保碲锌镉探测器达到较高的能谱分辨率。

摘要： 一种碲锌镉单晶炉，包括炉体，炉体内设有石英安瓿，石英安瓿中设有氮化硼坩埚，炉体外部设有激磁线圈，石英安瓿下方设有导热装置，炉体相对于垂直方向倾斜3°‑15°。一种碲锌镉单晶的生长工艺，包括以下步骤：选用Cd1‑xZnxTe籽晶，x选自0.04‑0.2范围内，打磨后浸泡至溴‑甲醇溶液；选用Cd1‑xZnxTe多晶料，x为0.04，石英安瓿抽真空后密封；将炉体相对于垂直方向倾斜3°‑15°，石英安瓿下方设置有螺旋式氮气管路，炉体外安装有激磁线圈；晶体引晶；晶体生长：使炉体处于勾形磁场内，氮气初始流量为50mL/分钟，按0.1mL/分钟的速度增加流量；原位退火和冷却。通过该生长工艺得到的碲锌镉单晶晶格结构的完整性较佳、直径较大且单晶成品率较高，不仅改善了所得单晶的质量，而且经济效益较好。

摘要： 本发明公开了一种承载碲锌镉样品的装置和测试碲锌镉中Zn组分的方法，其中，该装置包括：方形平台，用于放置碲锌镉样品，方形平台的厚度不小于第一预设值；在方形平台的相邻两个边沿处设置垂直于方形平台的围栏，围栏用于保护碲锌镉样品位置移动导致滑落，围栏的高度不小于碲锌镉样品的厚度；在方形平台的底平面上设置一个凸起部分，凸起部分用于嵌入自动平台内。本发明提供的承载碲锌镉样品的装置面积大，且存在围栏，该装置的使用，既保证了测试结果的准确性，又大大提高了测试效率和工作效率，解决了现有技术光致发光系统的室温测试台不能快速定位、测试样品尺寸受限、测试后样品必须移动到样品台边缘后才能取下的问题。

摘要： 本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。