宏模型

摘要： 宏模型广泛地应用于集成电路寄生参数提取过程之中,它不仅能够有效减少计算复杂度,还能在保证计算精度的前提下加密敏感电路或器件结构。当前的集成电路特征尺寸已处于纳米量级,工艺波动所引入的导体尺寸变异对电路性能的影响不可忽略,为了解决这个问题,提出了一种宏模型的敏感度模型,即宏敏感度模型。基于有限元法框架,通过计算静电场总体刚度矩阵对工艺参数的导数完成对宏敏感度模型的构建,算例验证表明,宏敏感度模型能够分析集成电路的敏感度,从而提高利用宏模型提取参数的可靠性及电路设计的稳定性。

摘要： 提出一种基于神经网络的集成电路补偿模型建模方法.针对等效电路模型与电路实测数据之间存在偏差的问题,建立人工神经网络模型补偿差值部分,补偿后的模型作为一种集成电路宏模型,可用于辅助集成微系统仿真分析.该补偿模型是一个单层的全连接神经网络,以tanh函数作为激活函数,均方误差作为损失函数,使用Adam优化器优化训练而成.在工作频段为6～13 GHz的低噪声放大器电路上进行实验,补偿前后,原仿真数据与测试数据之间的均方根误差从0.868降低至0.274,提高了电路模型精度.

摘要： 本书是有关电源完整性设计和建模方面的一部丰富而又生动的指南。书中通过真实的案例分析和可下载的软件实例,描述了当今高效电源分配和噪声最小化的设计与建模的前沿技术。作者介绍了电源配送网络组成部件、分析技术、测量技术及建模需求;详尽解释了电源/地平面建模,包括平面特性、集总模型、基于分布电路的方案等;介绍了几种先进的时域仿真技术(例如宏模型),并讨论了它们的优缺点;此外还展示了建模技术在多种高级案例中的应用,包括高速服务器、高速差分信令、芯片封装分析、材料特性、嵌入去耦电容器和电磁带隙结构等。

摘要： 本文设计了一种新型栅控双向可控硅晶闸管(GDDSCR)防护器件,用Rx元件代替可控硅晶闸管(SCR)的触发面来模拟SCR的触发和保持行为,实现了一种用于静电放电(ESD)防护的SCR宏模型.基于0.18μmBCD工艺制造的GDDSCR器件的传输线脉冲(TLP)测试结果与模型仿真结果的触发电压误差为0.008V,维持电压误差为0.006V.实验结果表明建立的SCR宏模型能够有效地模拟SCR器件在ESD应力下的物理机制.该宏模型以直.接的方式从被保护电路中使用的相同SCR结构中提取相关参数,大大提高了建模效率,消除了传统SCR模型仿真过程中存在的收敛性问题,对ESD保护电路的设计与验证具有重要意义.

摘要： 本书是有关电源完整性设计和建模方面的一部丰富而又生动的指南。书中通过真实的案例分析和可下载的软件实例,描述了当今高效电源分配和噪声最小化的设计与建模的前沿技术。作者介绍了电源配送网络组成部件、分析技术、测量技术及建模需求;详尽解释了电源/地平面建模,包括平面特性、集总模型、基于分布电路的方案等;介绍了几种先进的时域仿真技术(例如宏模型),并讨论了它们的优缺点;此外还展示了建模技术在多种高级案例中的应用,包括高速服务器、高速差分信令、芯片封装分析、材料特性、嵌入去耦电容器和电磁带隙结构等。

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摘要： 微生物风险评估是当前保障食品安全的重要科学工具之一,被广泛应用于食品安全政策、法规和标准的制定.菌株多相异质性是微生物的固有特性,普遍存在于各类致病菌之中,影响着风险评估的准确性和不确定性.本文概述了国内外食品微生物菌株多相异质性的相关研究,总结了菌株多相异质性的概念,从生长和失活异质性、被膜形成异质性、毒力异质性和耐药异质性4个方面全面系统地分析了菌株多相异质性的存在形式.在此基础上探讨了菌株多相异质性对微生物风险评估的影响,进一步展望了降低该影响的4种解决措施,提出微生物风险评估宏模型的概念,以期提高食品安全风险评估的准确性和可靠性.

摘要： 本书是有关电源完整性设计和建模方面的一部丰富而又生动的指南。书中通过真实的案例分析和可下载的软件实沿技术。作者介绍了电源配送网络组成部件、分析技γγ例,描述了当今高效电源分配和噪声最小化的设计与建模的前术、测量技术及建模需求;详尽解释了电源/地平面建模,包括平面特性、集总模型、基于分布电路的方案等;介绍了几种先进的时域仿真技术(例如宏模型),并讨论了它们的优缺点;此外还展示了建模技术在多种高级案例中的应用,包括高速服务器、高速差分信令、芯片封装分析、材料特性、嵌入去耦电容器和电磁带隙结构等。

摘要： 介绍了宏模型的概念和特点,对PSpice中几种典型的宏模型类型分别进行了阐述,最后总结指出宏模型是电路建模发展的新趋势。

摘要： 电力电子器件的仿真建模是进行机理分析、结构改进和优化以及器件应用的重要手段。针对目前在电力系统广泛应用的晶闸管类电力电子器件，首先介绍了常用的电力电子仿真分析软件及晶闸管物理模型、等效电路模型、宏模型特点，然后应用Pspice软件创建了晶闸管宏模型，并对晶闸管反向恢复特性进行了仿真研究，仿真结果与器件参数相吻合，验证了晶闸管宏模型建模的准确性。

摘要： 此文提出了一种在SPICE中建立数字电路宏模型的新方法。模型由受控源和无源元件搭建而成,结构简单、仿真速度快,对输入电平自动转换成标准电平,精度高,普适性强.文中给出了典型组合逻辑与时序逻辑(锁存器和触发器)宏模型的建立,最后介绍一个仿真实例.经检验,在不同的时钟频率下数字电路部分仿真速度能得到较大的提高。

摘要： 本文为了研究静电致动圆板静态和动态特性,在模态分析法的基础上,利用多维非线性函数的Levenberg-Marquardt拟合方法,将板的动能、弹性能和电容写成以模态坐标表示的解析式.结合Hamilton原理,导出静电致动微圆板的动力学特性方程的宏模型.以此为基础研究了板的静态特性及其三角波、方波信号激励下的动态响应.结果表明,模态分析方法能够考虑到残余应力的影响,所建立的动态宏模型不仅大大地减少了计算费用,而且具有足够的仿真精度.

摘要： 宏模型的获取是由Krylov子空间投影法结合器件级有限元分析的宏建模方法来实现,本文利用此模型和基于可重用IP设计思想的系统级组件建模方法建立由VHDL-AMS语言描述的梳齿谐振器系统级模型,在华大VDE仿真平台上搭建出了梳齿谐振器的系统模型,并进行一系列的仿真,包括时域阶跃、交流电压信号仿真和频域交流小信号仿真,仿真结果与商用仿真工具ANSYS仿真结果保持良好的一致.

摘要： 以经典的频率特性模型为基础,针对两级运算放大器结构进行分析,提出一种改进的运算放大器小信号宏模型建立方法.给出一种模型可信度评估机制,并采用BSIM3V3 MOSFET模型,对改进的运放小信号建模方法进行仿真验证.与经典建模方法对比结果表明,此方法模型符合度达到99.8％,易于软件集成,可有效缩短仿真时间.

摘要： 随着对微尺度下MEMS材料力学特性研究的深入,片上集成测试方法应用愈加广泛.针对MEMS系统具有多能量域耦合的特点,应用基于MEMS宏模型技术的系统级设计工具来获得整个系统的行为特性已成为研究热点.概述了几种建立MEMS宏模型的基本方法,并对其中的节点法进行了详细阐述,利用CoventorWare软件设计了一种测试多晶硅杨氏模量的集成测试结构,首次将系统级设计方法引入集成测试结构的设计,提高了设计效率,仿真结果可靠.

摘要： 本文基于Krylov子空间投影法结合有限元分析(FEA)建立了一种宏模型提取方法,以便能够在系统级快速地建立器件宏模型.这种方法通过对整个2D或3D器件有限元分析的结果提取宏模型.基于这种方法建立的宏模型具有计算代价低、精度合适的特点,而且能方便地插入到系统级仿真器进行仿真.文中通过一个谐振器结构阐释了这一方法,并且针对所建立的谐振器结构宏模型进行了精确性验证.

摘要： 本文针对MEMS设计的特点,在研究其设计过程和规律的基础上,提出一种MEMS集成化设计方法,该设计方法从方法论的角度探究了MEMS的最优设计问题.在集成化设计方法的基础上,研究MEMS工艺版图的三维重构和面向系统级仿真的宏模型构建方法,实现了MEMS集成化设计环境,有助于建立支持集成化设计的MEMSCAD软件系统.

摘要： 本文概述了适用于MEMS系统仿真的几种方法,着重介绍了这些方法的基本思想、缺点,并初步实现了典型叉指电容式微加速度传感器的系统级仿真.

摘要： 本发明属于离子推进器放电室中电子碰撞电离的蒙特卡罗模拟领域，具体为电子碰撞电离蒙特卡罗模型的非等权重宏粒子修正方法。本发明针对不同权重宏粒子之间相碰撞的情况做了改进修正，通过引入了一个电离碰撞权重基准值wbm，将每个宏粒子参与电离碰撞的权重进行了拆分，每个宏粒子从1次碰撞判断细分为了等价的Nc,j次，最大程度地保证了原有的碰撞特性。实现了控制每次有效电离碰撞中实际的宏粒子权重相等，并随之更新相应的碰撞后宏粒子属性，而非直接从两个不等权重的宏粒子里任取其一，从而避免了电离碰撞过程中电荷或是能量的不守恒。本发明有效解决了现有电子碰撞电离蒙特卡罗模型在非等权重宏粒子模拟中不适用的问题。

摘要： 本发明公开了一种考虑节理宏细观形貌的剪切强度模型的构建方法，其包括如下步骤：获取节理试样节理表面二维轮廓线；获取节理表面形貌离散处理图像及节理表面二维轮廓线的坐标数据矩阵；获取节理宏观起伏度特征；获取节理细观粗糙度特征；获取节理峰值剪胀角ip与节理宏观起伏度特征及节理细观粗糙度特征的关系；将节理峰值剪胀角ip代入经典Patton强度模型中，获取考虑节理宏细观形貌的剪切强度模型。本发明通过分离出节理宏观起伏度特征分量及节理细观粗糙度特征分量，实现对节理宏观形貌及节理细观形貌的分离重构，并分别考虑节理宏观起伏度特征、细观粗糙度特征对节理剪胀的贡献，进而建立考虑节理宏细观形貌的剪切强度模型，能够有效预测节理剪切强度。

摘要： 本发明属于离子推进器放电室中电子碰撞电离的蒙特卡罗模拟领域，具体为电子碰撞电离蒙特卡罗模型的非等权重宏粒子修正方法。本发明针对不同权重宏粒子之间相碰撞的情况做了改进修正，通过引入了一个电离碰撞权重基准值wbm，将每个宏粒子参与电离碰撞的权重进行了拆分，每个宏粒子从1次碰撞判断细分为了等价的Nc,j次，最大程度地保证了原有的碰撞特性。实现了控制每次有效电离碰撞中实际的宏粒子权重相等，并随之更新相应的碰撞后宏粒子属性，而非直接从两个不等权重的宏粒子里任取其一，从而避免了电离碰撞过程中电荷或是能量的不守恒。本发明有效解决了现有电子碰撞电离蒙特卡罗模型在非等权重宏粒子模拟中不适用的问题。

摘要： 本发明涉及电力培训仿真三维模型应用技术领域，公开了一种基于交互性标签和宏的三维模型逐级重建方法，包括如下步骤：逆向获取三维重建信息，进行三维建模，在重建过程中，生成三维重建执行脚本，基于三维重建信息的数据类型，在三维重建执行脚本的代码中添加定义标签宏，再按变量值按阶梯方式整定，并作为逐级别重建宏，利用定义标签宏识别变电设备模型函数列表的定义标签，最后使用逐级别重建宏允许与定义标签对应的模型自动执行三维重建执行脚本。本发明基于交互性标签和宏的三维模型逐级重建方法，解决了从正面通过优化算法轻量化过程中，不可避免出现破面叠面，重建结果不可控的行业技术痛点，且适用于多终端应用。

摘要： 本发明提供了一种基于宏条形码的家畜采食组成校正模型的构建方法：其特征在于，其包括：(1)选取源自不同牧草制备模拟日粮，作为校正样品，提取DNA、ITS2条形码PCR扩增、扩增子Illumina MiSeq双末端测序，获得原始测序数据；(2)对原始测序数据进行过滤和质控处理，将有效序列进行OTU聚类；(3)将OTU代表序列与NCBI数据库Blastn比对，完成物种注释；(4)使用宏条形码技术对样本的牧草基因序列进行测定，得到牧草DNA序列的相对比例测定值，分析获得模拟日粮的组分；(5)利用线性回归方法对模拟日粮各组分的测定值、各组分的干物质比例真实值进行关联，建立日粮组成的校正模型。

摘要： 本发明设计一种热式风速传感器Verilog‑A宏模型建模方法：该发明主要考虑热式风速传感器的热对流和热传导效应，利用宏模型技术将器件各种不同条件下的热传导和热辐射效应耦合到器件模型中，形成器件的单元模型，之后通过直接调用此单元模型以及系统仿真的方式来预测整个集成电路的响应特性；利用此方法可以有效地模拟所设计的传感器在特定风速条件下的功能和性能，为传感器和接口电路的协同设计提供参考依据，减少流片次数，极大的降低成本，加快研发周期，提高效率。

摘要： 一种基于延时提取的传输线时域等效宏模型生成方法，用于对高速互连线进行频域和时域仿真。具体步骤包括：(a)基于给定的单位长度参数电阻R，电感L，电容C，电导G，建立传输线阻抗形式的频域数学模型；并计算低频段m阶的极点和留数，并根据给定的误差阈值δ不断调整m的数值大小，直到满足误差条件；(b)基于步骤(a)计算得到极点留数基础上，构造出高频段阻抗响应的近似表达式，并对该信号进行离散化，转化为频域纯延时项，完成延时显式提取；(c)基于步骤(a)和步骤(b)中的计算结果，优化后得到传输线的频域状态空间模型，并生成对应时域等效电路网表。

摘要： 本发明公开了一种延迟电路宏模型提取方法，包括以下步骤：获取待提取宏模型的延迟电路；将所述延迟电路嵌入预设参数以得到带有参数的延迟电路；计算带有参数的延迟电路的传递函数并计算所述传递函数的所有矩；根据所述传递函数的所有矩构建投影矩阵；将所述带有参数的延迟电路投影在所述投影矩阵中以得到宏模型。本发明还公开了一种系统、计算机设备以及可读存储介质。本发明提出的方案通过对模型降阶，解决了高速集成电路中仿真分析复杂度的问题，能够在保持一定计算精度的情况下，减少计算量。

摘要： 本发明提出一种基于状态空间法的热式风速传感器宏模型提取方法：该方法首先对热式风速传感器尺寸、结构和材料参数提取并进行三维建模，设置空气域，初始化边界条件进行有限元仿真，获得在风速为0情况下热式风速传感器模型的阶跃响应和在风速不为0时热式风速传感器模型加热单元和上下游测温单元表面的对流换热系数，基于热式风速传感器模型阶跃响应利用状态空间法构建热式传感器的状态空间模型，同时拟合对流换热系数获得等效风速的多项式，再通过Verilog‑A语言将状态空间模型和等效风速多项式耦合，得到完整的热式风速传感器宏模型，最后调用宏模型进恒功率电路中进行验证仿真。

摘要： 本发明公开一种平衡超结MOSFET漏源电容的SPICE宏模型建立方法，应用于电子元器件建模领域，解决现有超结MOSFET寄生电容建模方案中拟合难度高、精度差的问题，本发明首先测试获得超结MOSFET寄生电容随漏源电压变化的数据；然后基于器件耗尽机理建立漏源电容的等效电路拓扑；进而由电容测试数据反向提取元胞工艺参数，搭建漏源电容的数学描述，并基于数学软件完成系数拟合，确定宏模型电路参数；最后进行SPICE模型的编写和封装，最终获得可在超结MOSFET SPICE模型中调用的漏源电容宏模型模块。该建立方法以超结MOSFET的物理机理为基础，可实现半对数坐标下全电压范围内漏源电容的高精度拟合，可广泛应用于电荷平衡的常规超结MOSFET产品。