微波集成电路

摘要： 数控延时线芯片通常被应用于微芯片-微计算机-微电子学的电路设计开发与测试技术中.为了达到高的电阻延迟精度和大量的延迟度,设计一款有小尺寸和优异微波性能的GaAs微波单片集成数控实时延迟线电路.电路芯片选用GaAs PHEMT材料和单片微波集成工艺实现,采用电路与电磁场相结合的方式设计仿真实验,对外延材料进行优化.通过测试,电路比传统设计体现出更更好的回波损耗和更小的回波插入损耗波动,验证了砷化物微波单片集成电路的设计理论,为砷化镓微波集成电路的设计提供了重要线索.

摘要： 提出一种基于神经网络的集成电路补偿模型建模方法.针对等效电路模型与电路实测数据之间存在偏差的问题,建立人工神经网络模型补偿差值部分,补偿后的模型作为一种集成电路宏模型,可用于辅助集成微系统仿真分析.该补偿模型是一个单层的全连接神经网络,以tanh函数作为激活函数,均方误差作为损失函数,使用Adam优化器优化训练而成.在工作频段为6～13 GHz的低噪声放大器电路上进行实验,补偿前后,原仿真数据与测试数据之间的均方根误差从0.868降低至0.274,提高了电路模型精度.

摘要： 传统的低频噪声无损检测方法在实际应用中,存在检测信号丢失、低频信号被平滑处理等问题,为解决上述问题,设计一种针对微波集成电路的低频噪声无损检测方法.通过定义低频噪声检测阈值范围的方式,结合信号的频带宽度,搭建微波集成电路低频噪声检测平台.同时,引进了小波转换技术,采用熵检测的方法,对电路白噪声与低频噪声进行分离处理,并将处理后的信号组进行重构.输出重构后的信号值,以此作为微波集成电路低频噪声无损检测结果.设计对比实验,对设计方法与传统方法的噪声检测结果进行对比,对比后发现,设计的方法在实际应用中,可清晰地表达电路噪声功率谱密度,解决信号丢失或低频信号被平滑处理等问题.

摘要： 台湾稳懋半导体是全球首座以六英寸晶圆生产砷化镓电路的专业晶圆代工服务厂。近期,稳懋完成了新一轮晶圆厂翻新扩张,对其第三家最新的晶圆厂（Fab C）配备最先进的净化间、工艺线和砷化镓微波集成电路（GaAs MMIC）生产设备,以及复合半导体外延生长、制造和光学检测设备。稳懋主要提供HBT、pHEMT、集成BiH EMT方案和光学设备,用于功率放大器、WiFi、无线区域性网络基建和光学市场。

摘要： 微波集成电路(MIC)是雷达和微波通信系统中的关键部分,其可靠性试验对于保证交付产品的质量具有重要的作用.老炼试验是可靠性筛选的关键一环,因而也是产品质量保证的重要手段.对MIC老炼试验技术进行了研究,并针对老炼夹具的设计、ESD与EMP防护和自激振荡的预防与消除提出了具体的解决措施.

摘要： 为解决传统 BC-CSRR 在阻带性能上的问题，提出了一种改进型 MBC-CSRR 结构，并利用该结构设计了一个阻带性能优良的 HMSIW 滤波器。分析了加载 MBC-CSRR 的 HMSIW 等效电路和结构特性，采用有限元法对该结构的传输特性进行了仿真。结果表明：所提出的改进型 MBC-CSRR 在保持传统 BC-CSRR 优点的基础上具有更优良的阻带性能。应用该结构设计了一个三阶 HMSIW 带通滤波器并进行测试。结果表明：所设计的加载 MBC-CSRR 的 HMISW 滤波器具有结构紧凑、损耗低、成本低、易于集成且阻带性能优良等特点。%This paper proposes a modified BC-CSRR,which is used for designing a HMSIW filter with good stopband performance.The structure and the equivalent circuit of the HMSIW with MBC-CSRR are analyzed.The transmission property is simulated.The simulation shows that the proposed MBC-CSRR keeps the main advantage of the conventional BC-CSRR and has better stopband performance. A third-order HMSIW filter is designed by use of the MBC-CSRR.The simulated and measured re-sults show that the proposed filter has the advantages of compact structure,low loss,low cost,easy integration and good stopband performance.

摘要： 去嵌入传输线技术是微波集成电路不连续性分析的常用方法.用该方法分析形变柔性衬底上的不连续性时,由于馈线为非均匀传输线,激励源端口不连续引起的寄生效应会影响不连续性特性,导致分析不准确.文中提出采用SOLR(short-open-load-reciprocal)校准技术分析不连续性.将不连续性作为校准中的被测件,激励端寄生效应和馈线作为误差项,通过理想电壁、理想磁壁、理想匹配层和不连续性自身构建短路、开路、负载和可逆通路校准,从而消除误差项对不连续性分析的影响.对柱面微带和弯曲微带上不连续性的分析结果表明,该方法可有效消除激励端口的寄生效应影响.

摘要： 基于0．25μm 栅长 GaN HEMT 工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款 Ku 波段 GaN 功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该放大器在14．6～18GHz 频带内，小信号增益30dB，脉冲饱和输出功率达15W，功率附加效率（PAE）大于32％；在14．8GHz 频点处，放大器的峰值功率达19．5W，PAE 达39％．该结果表明 GaN MMIC 具有高频高功率高效率的优势，具有广阔的应用前景．%A three stage Ku band GaN power amplifier MMIC was developed with 0.25μm GaN HEMT technology.The MMIC was designed in micro-strip technology.Based on the large signal model,the amplifier adopted reactance matching network to reduce the insertion loss of the output stage,which improved its associated efficiency.The measurement results exhibited that this amplifier provided a flat small signal gain of 30dB and a pulsed saturated output power of 15W at the drain voltage of 28V over the 14.6 ~18GHz frequency range.At 14.8 GHz,a peak output power of 19.5W with power added efficiency of 39% was achieved.

摘要： 本文着重阐述了MEMS工艺对TSV(Through Silicon Via)技术和平面传输线的影响.首先基于HFSS建立了TSV通孔以及微波传输线的理论模型.针对X波段(10GHz),当硅衬底的高度一定时,分析了TSV通孔的半径大小、信号孔与屏蔽孔的间距、不同类型的微波传输线结构、线宽对微波集成电路性能的影响.通过优化模型参数可以让实测结果与仿真值很好的拟合在一起.

摘要： 金属化孔质量对于微波集成电路的性能有重要影响。本文从制作微波集成电路金属化孔各工序来研究和探讨小径深比孔金属化的影响因素，总结出制造小径深比金属化孔的制造工艺，满足了空间微波产品的设计制作要求。

摘要： 本文就微波集成电路整板电镀金层均匀性问题进行了工艺研究。在传统电镀工艺技术的基础上分析了影响镀层均匀性的主要因素，通过优化电镀金盐含量、增加导电电极和阴阳极电镀工装等工艺条件，提高镀层厚度均匀性，提升微波集成电路制作能力。

摘要： 本文在传统缺陷接地结构(Defected Ground Structure,简称DGS)基础上,设计出一种新型低辐射DGS结构,该结构既具有传统DGS结构的优良电路性能;又大大降低了由于接地面蚀刻缺陷图案而引起的辐射.由于这种无意发射会造成DGS周围电路的性能降低,所以新型低辐射DGS的应用很大程度提高了微波集成电路的性能.

摘要： 掩膜版制备是微波集成电路制作的重要环节。传统掩模版制作方法存在精度差、效率低等缺点，本文通过激光光绘技术在MIC掩模版制作中的实践和工艺探索，提出了以激光光绘技术改进掩模版制作工艺的一种可行途径。

摘要： 微波集成电路中传统的NiCr-Au膜层和Sn63Pb37焊料焊接时,Au在高温下易和熔融Sn63Pb37焊料反应生成脆性的AuSn2甚至AuSn4,带来焊接和长期工作的可靠性等问题.本文针对这种现象,从焊料和膜层两个方向展开研究,对微波集成电路的常规膜系提出了一种改进方案,并进行一系列验证试验.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要.毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注.业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的.本课题基于IPC2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化.对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍.与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要.毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注.业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的.本课题基于IPC2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化.对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍.与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要.毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注.业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的.本课题基于IPC2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化.对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍.与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 随着5G时代的到来,高频下介质电性能的精确测量对微波电路设计愈发重要.毫米波频段下,器件尺寸减小、高k材料的应用等各方因素作用,致使材料Z轴方向(厚度方向)的介电性能受到更多关注.业界至今还未形成对毫米波频段下介电材料性能测试的标准,寻得一种精确测量Dk、Df的测试方法是必要的.本课题基于IPC2.5.5.5c,对当下高频领域的测试方法进行比对,并针对当下需求及其存在的问题,设计并提出一种基于改进型微带线谐振腔体的微波介电性能测试系统解决方案,从腔体设计、耦合方式以及基板等各方面实现优化.对改进型微带线谐振腔体在10G、26G进行了实用性测试,相比于IPC2.5.5.5c测试方法,改进型微带线谐振腔体在品质因数提高近五倍.与传统方法相比,该测试方法不仅精度更高,损耗小,而且极大的降低了行业门槛,这为微波测试行业的产业化、规模化强力助推,为工业实现电路板基材介电性能在线检测提供了经济化的解决方案,未来可广泛应用于工业生产线,将具有十分广阔的应用前景.

摘要： 一种半导体结构，具有其中具有有源器件的半导体层。电介质结构设置在所述半导体层上方，该电介质结构中具有端部开口的沟槽。电互连层级设置在沟槽中并电连接到有源器件。多个叠置金属层设置在沟槽中。叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。

摘要： 一种半导体结构，具有其中具有有源器件的半导体层。电介质结构设置在所述半导体层上方，该电介质结构中具有端部开口的沟槽。电互连层级设置在沟槽中并电连接到有源器件。多个叠置金属层设置在沟槽中。叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。

摘要： 本发明公开了一种集成通道切换的功分网络单片微波集成电路，属于移动通信系统领域。该单片微波集成电路包括两个一级单刀双掷开关、四个二级单刀双掷开关、四个功分网络。本发明通过特定的连接方式融合了功分网络和开关电路，构成了多个射频信号通道，作为信号分配器可以对两个输入信号以一定比例在四个输出端口选择性输出，或者与之相反地，作为合成器可以将四个输出端口所接收到的信号以一定比例合成至两个输入端，实现复杂的射频信号流向，同时具备集成度高、插入损耗低以及工作频段高等优点。

摘要： 本发明公开了一种适用于微波集成电路电性能快速筛选的检测电路及方法，属于微波测试技术领域。采用本发明提供的方法，在进行微波集成电路电性能快速筛选检测时，只需要预先设置一次性将相关测控状态加载下发给各相关电路单元，根据检测需求提前设定检测结果的判断阈值并装载好同批次待测试的微波集成电路，就可以一次性同时而非分时地自动完成不少于10个微波集成电路的电性能快速筛选检测，有效解决电性能预先筛选环节缺位以及降低电性能最终检测无效工作率的瓶颈问题。本发明提供的方法简便、经济，测试及资源应用效能较高，且可根据应用需求规模进行应用扩展，通用性较强。

摘要： 本发明公开了一种微波集成电路的延时电路设计方法、延时电路结构，属于微波集成电路领域，延时电路结构包含螺旋电感、在螺旋电感中间抽头的电容以及接地通孔；延时单元作用是提供一个电抗加载，当周期性加载该单元可以构成慢波结构，实现延时功能。在延时单元间的排列方法中，使相邻单元间平行微带传输线上电流方向相同，相邻单元间的互感增大了总电感，相同的尺寸可以获得更大的延时量。同时，由于相比传统结构延时单元选取的电感和电容相同，因此电感器的直流电阻相同。本发明实现的延时电路结构，具有更高的品质因素，可以获得更低的损耗，克服了现有技术的偏见，提高了单位面积的延时量，相对传统延迟器和更小的尺寸。

摘要： 本发明公开了一种集成通道切换的功分网络单片微波集成电路，属于移动通信系统领域。该单片微波集成电路包括两个一级单刀双掷开关、四个二级单刀双掷开关、四个功分网络。本发明通过特定的连接方式融合了功分网络和开关电路，构成了多个射频信号通道，作为信号分配器可以对两个输入信号以一定比例在四个输出端口选择性输出，或者与之相反地，作为合成器可以将四个输出端口所接收到的信号以一定比例合成至两个输入端，实现复杂的射频信号流向，同时具备集成度高、插入损耗低以及工作频段高等优点。

摘要： 本发明公开了一种适用于微波集成电路电性能快速筛选的检测电路及方法，属于微波测试技术领域。采用本发明提供的方法，在进行微波集成电路电性能快速筛选检测时，只需要预先设置一次性将相关测控状态加载下发给各相关电路单元，根据检测需求提前设定检测结果的判断阈值并装载好同批次待测试的微波集成电路，就可以一次性同时而非分时地自动完成不少于10个微波集成电路的电性能快速筛选检测，有效解决电性能预先筛选环节缺位以及降低电性能最终检测无效工作率的瓶颈问题。本发明提供的方法简便、经济，测试及资源应用效能较高，且可根据应用需求规模进行应用扩展，通用性较强。

摘要： 本实用新型公开了一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲，所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器，所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B，MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接，其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD，源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接，MOSFET管B的源极接地，本实用新型能够确保功率放大模块的工作状态的迅速转换，避免拖尾，提高了发射射频信号关断比，提高了功率放大模块的工作速度，使得功率放大模块的工作效率得到保障。

摘要： 本实用新型公开了一种砷化镓微波集成电路脉冲调制电路，涉及脉冲调制电路技术领域，本实用新型包括MOSFET驱动器、与MOSFET驱动器的输入端连接的调制脉冲以及MOSFET管，所述MOSFET驱动器输出端内部设置有非电路，非电路的输出端直接与MOSFET管的栅极连接，并且还连接有上拉电阻R2，上拉电阻R2的另一端与MOSFET管的源极均连接有电源电压VDD，MOSFET管的漏极与功率放大模块连接，本实用新型的MOSFET管直接与MOSFET驱动器输出端内部的非电路连接，并且MOSFET管的栅极连接有上拉电阻R2，能够使MOSFET管的栅源电压V

摘要： 本实用新型公开了一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，包括电阻R1、电阻R2、电容C