基准电压

摘要： 介绍了一种新型电压基准电路,基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源。利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差,从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流。将电路整个工作温度区间分为两段,利用分段线性电流完成补偿,且增加三极管基极电流补偿技术,最终得到高精度的基准输出电压。仿真结果表明,在-55°C~125°C温度范围时,基准电压源温度系数为1.208×10-6/°C,低频时电源抑制比低于-88 dB。当电源电压从2.5 V升至5 V时,线性调整率为0.108 mV/V。

摘要： 集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构简单,响应速度快.基于三极管的欠压锁定电路的阈值受PVT影响较小,而且功耗低。基于0.18μmBCD工艺进行了全面的仿真验证,结果表明,当电源电压下降时,电路在电源电压小于2.06 V时系统关闭,避免当电源电压过低时导致数字逻辑发生错误以及器件损坏;当电源电压上升时,电路在电源电压大于2.38 V时系统重新启动.为避免芯片在欠压锁定阈值附近来回翻转,设计的欠压保护迟滞量为320 mV,防止误操作。在-40~85°C温度范围内欠压锁定阈值电压精度为1.36%,功耗仅为22μW.

摘要： 现阶段,多数大功率充电器的电池保护电路只有过充保护功能,针对这一缺陷并结合客户要求设计一种保护电路.给出构成框图和电路原理图,详细介绍主要元器件的作用和整机工作原理.经过调试和实测发现,该电路可监测充电电源输出电压和电流,先恒流充电,再恒压涓流充电,最终关闭充电电源,达到保护电池的目的.对该电路参数做适当调整,即可广泛应用于多种不同电压的充电电路中,具有推广价值.

摘要： 配网线路对地泄漏电流包括由线路对地静电电容引起的泄漏电流和由线路对地电阻引起的泄漏电流。其中,对地电阻引起的泄漏电流是低压配电系统火灾或触电的主要原因,其与线路绝缘状态密切相关。通过检测零序电流、线电压及其相位差,可以高精度检出线路对地电阻引起的泄漏电流的有效值,实现在不停电情况下对低压线路绝缘状况的在线监测,能够避免或减少事故,文章对此展开研究。

摘要： 黄花(高洁)GJ NO.907型可调恒温电烙铁的控制电路如图1所示,相关实物如图2所示。AC220V电压经R7降压、D3整流、ZD1(20V)稳压、C1滤波后,得到约20V电流,一路供给运放IC2(HA17358)⑧脚,另一路经VT2、VT3、VT1、R2分压后供给IC2②脚(负输入端),以提供基准电压。

摘要： 本文主要针对智能电表在运行现场出现的计量失准问题开展原因分析.由于计量失准问题涉及计量设备、运行环境、器件可靠性、生产工艺等环节,原因较为复杂,所以本文只从原理方面进行推导分析.此问题的出现会导致计量不公平、电费结算异常,因此会导致用电方和售电方之间产生纠纷,关系到和谐社会的发展.

摘要： 传统多路通信电源欠压锁定电路存在结构复杂、响应速度差等缺陷.为精准控制多路通信电源欠压锁定电路,需设计一种新型多路通信电源欠压锁定电路,并采用数字控制方法控制多路通信电源欠压锁定电路.采用电流模控制技术,通过随电源电压呈现二次方曲线变化的自偏置电流调节新型多路通信电源欠压锁定电路上、下阈值门限电压,控制迟滞电压,改善电路响应速度;同时通过温度补偿方式降低新型电路基准电压温度敏感系数,使迟滞电压温度灵敏度较低,迟滞电压具有较高的稳定性和较小的漂移程度.经过实验分析发现,该方法控制下的多路通信电源欠压锁定电路电源电压在1.65 V/μs时,输出电压上升和下降时间是36 ns,控制电路能量消耗平均值为51.684μW,电路响应速度较快,能耗低.

摘要： (上接7期)4.FB短路/开路检测电路在升压型PFC电路中,如果由于R1.R2接近短路或开路,反馈电压不能正确提供给FB端,误差放大器就不能控制恒定电压,输出电压异常升高。由于输出电压检测异常,过压保护电路工作。该电路由基准电压和比较器(SP)组成,如果FB端的输入电阻R1、R2开/短路等,检测电压变为0.35V或更低时,比较器的输出反转以停止IC的输出,IC停止工作,进入待机状态。

摘要： 为了解决洛菲电子清纱器采样后误切、乱切,导致无法正常生产等问题,分析纱疵评判标准出现偏差和重新分组或套用其他品种工艺再改回即可生产的原因,阐述遇到该问题时应采取的处理措施.指出:要按规定程序与要求重新进行采样,记录采样基准电压,检查不正常单锭的基准电压及微调差异,确认数据传输正常,设定感度降低参数;必须熟练掌握电子清纱器各项功能的性能特点和技术要求,合理使用,充分发挥其对纱线质量的监控作用.

摘要： (上接10期)产生行驱动信号:由逻辑主控IC形成原始波形,经电平转换IC放大后输出(VGL/VGH)至玻璃内GOA;产生列驱动信号:由逻辑主控IC形成,直接输入至源极板IC,控制数据输出;产生数字数据信号:由逻辑主控IC形成,直接输入至源极板IC;产生伽马基准电压:由伽马校正电路形成,直接输入至源极板IC。

摘要： PSD-BPA是我国电力系统规划领域的常用软件之一,论文针对该软件在使用过程中潮流计算输入文件基准电压设置不规范的问题,提出了基于标准基准电压序列实现基准电压规范化的方法.论文按照转换基准电压前后潮流结果一致的原则调整相关卡片的相关参数并推导出了转换公式;经过论证,将基准电压规范后的数据卡按原文件顺序回写更符合规划人员的需求;在VS平台上完成了以上方案的计算机实现,通过实际算例验证了方案的有效性和正确性.论文实现了PSD-BPA潮流计算输入文件基准电压的规范化和按原文件数据卡顺序回写输出,在一定程度上改善了潮流收敛性,使PSD-BPA软件能更好地适应大规模电网计算分析的客观需要,具有重要的工程实际意义.

摘要： 传统的带隙基准电路能够产生约15ppm/°C温度系数的基准电压.电路中正温度系数的大小与支路电流的大小密切相关,因此本文通过调节支路电流的大小在-30°C到110°C的温度范围内产生约3 ppm/°C温度系数的基准电压.

摘要： 本文介绍了因机械传动齿轮轴变形导致雷达基准电压相位的变化过程,以及这一变化对雷达跟踪性能的影响.

摘要： 本文介绍一种为高功率微波回旋管提供工作磁场而研制的串联调整式晶体管的稳流源.该电源的输出电源0~200A可调;适用于0~50V的常规直流电磁线圈.由于采用了低漂移放大器集成组件,并对取样电阻进行冷却和恒温处理,从而使输出电流的稳定度可达到10.基本上满足了回旋管电子枪区、互作用区的磁场稳定度的要求.

摘要： 本文介绍一种为高功率微波回旋管提供工作磁场而研制的串联调整式晶体管的稳流源.该电源的输出电源0~200A可调;适用于0~50V的常规直流电磁线圈.由于采用了低漂移放大器集成组件,并对取样电阻进行冷却和恒温处理,从而使输出电流的稳定度可达到10.基本上满足了回旋管电子枪区、互作用区的磁场稳定度的要求.

摘要： 本文介绍一种为高功率微波回旋管提供工作磁场而研制的串联调整式晶体管的稳流源.该电源的输出电源0~200A可调;适用于0~50V的常规直流电磁线圈.由于采用了低漂移放大器集成组件,并对取样电阻进行冷却和恒温处理,从而使输出电流的稳定度可达到10.基本上满足了回旋管电子枪区、互作用区的磁场稳定度的要求.

摘要： 本文介绍一种为高功率微波回旋管提供工作磁场而研制的串联调整式晶体管的稳流源.该电源的输出电源0~200A可调;适用于0~50V的常规直流电磁线圈.由于采用了低漂移放大器集成组件,并对取样电阻进行冷却和恒温处理,从而使输出电流的稳定度可达到10.基本上满足了回旋管电子枪区、互作用区的磁场稳定度的要求.

摘要： 本文介绍一种为高功率微波回旋管提供工作磁场而研制的串联调整式晶体管的稳流源.该电源的输出电源0~200A可调;适用于0~50V的常规直流电磁线圈.由于采用了低漂移放大器集成组件,并对取样电阻进行冷却和恒温处理,从而使输出电流的稳定度可达到10.基本上满足了回旋管电子枪区、互作用区的磁场稳定度的要求.

摘要： 本发明揭示了一种基于带隙基准电压的检测电路及带隙基准电压电路，所述检测电路包括：第二MOS管，与带隙基准电压产生电路中电源电压VDD和带隙基准电压VBG之间的第一MOS管构成第一电流镜，用于复制第一MOS管中的电流；第一检测电阻，与所述第二MOS管串联设置；第三MOS管及第四MOS管，所述第三MOS管与第二MOS管并联设置，且第三MOS管和第四MOS管构成第二电流镜；第二检测电阻，与所述第四MOS管串联设置。本发明通过检测电路的设置，带隙基准电压电路中无需引入参考电压即可判断带隙基准电压是否输出正确，在带隙基准电压VBG输出正确后输出高电平的逻辑电平信号BG_OK，能够适用于低电源电压的情况。

摘要： 本发明公开一种亚阈值基准电压源电路、电路板及基准电压源，其中亚阈值基准电压源电路，包括温度正反馈模块、偏置电压模块、镜像电流模块和温度负反馈模块，温度正反馈模块包括处于亚阈区的MOS管；偏置电压模块用于对温度正反馈模块提供偏置电压，偏置电压模块与温度正反馈模块连接；镜像电流模块用于将处于亚阈区的MOS管的电流进行镜像处理，镜像电流模块与温度正反馈模块连接，镜像电流模块与偏置电压模块连接；温度负反馈模块用于产生负温度系数的电压，温度负反馈模块与镜像电流模块连接；镜像电流模块与温度负反馈模块的连接点为亚阈值基准电压源电路的输出端。该亚阈值基准电压源电路具有功耗低的优点。

摘要： 本发明公开了一种电压基准源以及基准电压输出方法，所述电压基准源包括：偏置电流产生模块和基准电压产生模块，所述偏置电流产生模块用于输出偏置电流，所述基准电压产生模块用于基于所述偏置电流产生正温度系数电压和负温度系数电压，并基于所述正温度系数电压和负温度系数电压叠加后输出基准电压，通过修调电路对流经正温度系数电压产生电路的电流进行调节，以调节所述基准电压的温度系数，从而实现基准电压的温度系数接近为零，并且该电压基准源可以实现低供电电压和超低功耗。

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本申请的实施例提供一种用于基准电压源的启动电路及基准电压源，所述启动电路连接至所述基准电压源的核心电流镜电路，所述启动电路包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管和第一三极管，所述第一NMOS管的栅极连接至所述核心电流镜电路，其漏极连接至所述第三NMOS管的漏极，其源极经由第一三极管接地，所述第一三极管的基极与集电极相连接并且接地；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管各自的栅极和漏极相连接；所述第二NMOS管的漏极连接至所述第三NMOS管的源极，其源极连接至第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接至所述第五NMOS管的漏极，其漏极连接至电源电压，其源极连接至所述核心电流镜电路并且作为启动电路的输出端。

摘要： 本发明实施例提供一种带隙基准电压源、集成芯片及基准电压产生方法，包括：核心电路、温度补偿电路、电流模加法电路和分压电路；温度补偿电路，用于基于正温度系数电流生成温度补偿电流；分压电路，用于将恒定电流转化为基准电压。温度补偿电路基于正温度系数电流生成温度补偿电流，该温度补偿电流随温度的变化具有指数增长特性，随着温度升高，温度补偿电流将对负温度系数电流和正温度系数电流补偿后进行进一步地补偿，形成二次温度补偿降低温度漂移，从而可以得到低温漂的带隙基准电压，提高带隙基准电压的性能。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本实用新型适用于电子技术领域，提供了一种基准单元电路、高压电压基准源和可调高压电压基准源，所述基准单元电路包括：晶体管的集电极或漏极连接阴极端，晶体管的发射极或源极连接运算放大器的负电源端和内部信号地并连接阳极端，晶体管的基极或栅极连接运算放大器的输出端，运算放大器的正电源端连接辅助电源正端，运算放大器的同相输入端连接外部输入参考端，运算放大器的反向输入端和内部信号地之间连接内部输入参考电压；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。本实用新型实现了基准电压高于36V至KV级的电压基准源的设计。

摘要： 本实用新型提供了一种可调可编程高电压基准单元电路和可调高压电压基准源，单元电路包括：晶体管的集电极或漏极连接阴极端，晶体管的发射极或源极连接运算放大器的负电源端和电阻的一端、内部基准源的接地端、内部信号地并连接阳极端，晶体管的基极或栅极连接运算放大器的输出端，运算放大器的正电源端连接内部基准源的输入端并连接辅助电源正端，运算放大器的同相输入端连接外部输入参考端，运算放大器的反向输入端连接电阻的另一端并连接电位器的一个固定端，电位器的滑动端连接电位器的另一个固定端并连接内部基准源的输出端；所述晶体管的集电极或漏极在所述单元电路内部开路。实现了基准电压高于36V至KV级的可调电压基准源的设计。