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运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法

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一种半导体材料领域的运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法，用等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化纳米硅薄膜，采用硅烷、氢气为生长源气体和单晶硅材料作为衬底，通过优化并固定磷烷掺杂浓度，改变调节射频溅射功率这一生长条件，调控硅晶粒的尺寸以及晶粒周围氢原子配置环境，实现晶粒内部的晶格结构应变，从而使高密度有序纳米硅晶粒薄膜的电子迁移率提高到10

著录项

公开/公告号CN100442443C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人上海交通大学;
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申请/专利号CN200510029498.5
发明设计人沈文忠;陈新义;陈红;
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申请日2005-09-08
分类号
代理机构上海交达专利事务所;
代理人王锡麟
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 09:01:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-10-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 授权公告日:20081210 终止日期:20140908 申请日:20050908

专利权的终止
2008-12-10

授权

授权
2006-04-19

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-02-22

公开

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