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沈文忠课题组研制出具有高电子迁移率的纳米硅薄膜

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据1987年Phys.Rev.报道,纳米硅薄膜(nc-Si:H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料.中国科学(A辑)记载,沈文忠课题组早在1992年已正式研制出来,指出它是一种具有高电导性、室温电导率高达10-1 Ω-1·cm-1,比本征单晶硅高出103倍.

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来源
《微纳电子技术》 |2005年第11期|535-536|共2页
作者
何宇亮; 施毅;
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作者单位

南京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;TN325.3;
关键词
纳米硅薄膜; 高电子迁移率; 课题组; 纳米半导体材料; 室温电导率; 中国科学; 高电导性; Rev; 单晶硅;

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