University of Massachusetts Amherst;
机译:高迁移率应变Ge PMOSFET,在Si衬底上具有高κ栅极电介质和金属栅极
机译:高迁移率应变Ge PMOSFET,在Si衬底上具有高κ栅极电介质和金属栅极
机译:锗硅衬底上应变硅中的电子迁移率和高场漂移速度
机译:硅和锗的高κ门电介质:表面制备的影响
机译:UV臭氧氧化了硅和锗衬底上的高κ栅极电介质。
机译:高κ氧化物纳米带作为高迁移率顶栅石墨烯晶体管的栅极电介质
机译:远程库仑和界面粗糙度散射对InGaas <斜体> n italic> mOsFET电子迁移率的影响高<斜体> k 斜体>叠层栅极介质
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。